ＨＣＤ型高密度プラズマエッチング装置パンフレット

従来型の容量結合型プラズマエッチング装置にくらべ一桁高い密度のプラズマを実現。高周波アンテナや磁石を使用せず、電極構造のみの工夫によって高精度エッチングが可能。従来型のエッチング装置（CCP型・ICP型）とのハード上の互換性も高く低コスト・高い信頼、稼働率の実現に寄与。
ウェハレベルの基板だけでなく大型基板のエッチングにも対応可能
基板の大型化にスムースに対応可能な新型高密度プラズマエッチング装置 （詳細を見る）

『SERIO』は、Si深掘り、石英の垂直加工、有機膜のエッチングなど
幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。

実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い
加工精度を実現。スキャロップの無い平滑なエッチングが可能で、
ナノインプリントモールドの作成に適しています。

平滑なエッチング側面、加工面の垂直性、開口部の角度制御などナノイン
プリントモールドに必要な多くのプロセス性能を備えています。

【特長】
■スキャロップの無い平滑なエッチング側面
■高いSi深掘り時の垂直性（90°±2°）
■エッチングテーパー角の制御性
■高開口度エッチングに対応
■デモ機を常設
■サンプルテストに対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

『ICPメタルエッチング装置』は、先端薄膜プロセスに対応した
金属膜対応の高密度プラズマエッチング装置です。

半導体、MEMSなどの汎用デバイスだけでなく露光用マスクや金属基板の
表面処理などの特殊プロセスにも積極対応いたします。

独自のチャンバ内構造により抵パーティクルのメタルエッチング
(nmレベル)を実現しており、高い歩留りと稼働率が特長です。

【特長】
■nmレベルのメタル膜の精密エッチング
■独自機構による抵パーティクルプロセス
■メタル膜、化合物半導体基板など幅広い用途へのプロセス対応
■ナノインプリントモールド用「SERIO」の基本構成を生かした
　高いハードの信頼性
■ウェハだけでなく特殊材質、形状基板への積極対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

薄ウェハ（１００μｍ以下）の自動枚葉搬送を実現したプラズマエッチング装置。マルチモードプラズマとステッププロセスで幅広いプロセスに対応
自然酸化膜除去から厚膜レジストアッシング・クリーニング・ディスカムまで。
ディスクリートＩＣ、パワーデバイス、化合物半導体・ＭＥＭＳなど多くのデバイスの量産現場で多様なプロセスで活躍中 （詳細を見る）

バッチタイプでサブミクロンのＳｉ酸化膜のエッチングに対応。
ＳｉＮ、Ｓｉ系薄膜だけでなく高融点金属や難エッチング材にも対応
石英の垂直性エッチング、厚膜レジストの微細加工等ニッチデバイスの加工に最適。
プラズマモード切替によるマルチステッププロセスでアッシングやクリーニングまで幅広い用途に積極対応 （詳細を見る）

チャージアップダメージを排除したダウンフロープラズマによるダメージレスアッシングを実現。表面波プラズマ（ＳＷＰ）によるハイレートアッシングと２室装備されたアッシング室によりハイスループットを実現。
アッシングだけでなくＲＩＥ室の装備により特殊レジスト・有機膜野除去にもまたイオン注入後の硬化レジスト除去に対応。表面部の硬化レジストの除去とレジスト下層のダメージレスアッシングの両立を実現。
コンパクトな枚葉式ロードロック室とツインハンドロボットの採用でりコンパクトな設置寸法を実現。
通常のウェハだけでなく。１ｍｍ以上の厚みのウェハや矩形基板など特殊基板にも対応実績。多用途対応の枚葉式エッチング・アッシング装置 （詳細を見る）

表面波プラズマ（surface Wave excited plasma)による高密度プラズマをイオン遮蔽トラップにてイオンを完全にシールド。基板にラジカルのみを供給。
高密度ラジカルによるウェット同等のダメージレスアッシングを実現。
ハイレートとダメージレスアッシングを両立。コンパクトなバッチタイプで小型基板・化合物半導体・ＭＥＭＳデバイスに対応
ＭＥＭＳ製造プロセスの有機膜犠牲層除去に優れた効果を発揮。
ハイエンドＭＥＭＳデバイスに必須のレジストアッシング装置 （詳細を見る）

実績豊富なバッチタイププラズマエッチング装置「ＥＸＡＭ」をベースとし最大Φ６００ｍｍもしくは５００ｍｍ□までステージを拡大。
大型ステージでファインピッチのエッチング・各種有機物のアッシング・表面改質・クリーニングなど幅広いプロセスに対応
「従来機種ＥＸＡＭ」同様にウェハ・ガラス・セラミック基板のエッチングを行なうと共に大型実装基板・カット済みのフィルム基板のエッチング・クリーニング・表面処理にも実績豊富。
電子デバイスだけでな半導体製造装置部品や材料などくクリーンネスと繊細な表面処理が求められる大型製品の処理にも最適な新型ドライプロセスツール （詳細を見る）

新開発プラズマ源HCｄ（ホローカソード放電）型電極搭載。無磁場・無アンテナのシンプルなk構造で従来型電極より一桁高いプラズマを密度を実現。

独自開発高密度プラズマと独自プロセスで各種メタルだけでなくＣｕ薄膜などの難エッチング材のエッチングに対応。
新開発HCD型ヘッドはスケールアップが容易で矩形基板や大型基板の高精度エッチングが可能。
３００ｍｍウェハや積層基板、最大１ｍ□までの基板のメタルエッチングに対応。
近年ニーズが高まっている半導体周辺部材（フォトマスク、高密度実装基板）をカバーする従来のプラズマエッチングにとらわれない新型エッチング装置 （詳細を見る）