製品ランキング
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- 4分割 InGaAsフォトダイオード株式会社オプトロンサイエンス
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- ゲルマニウムフォトダイオード(Ge Photodiode)株式会社オプトロンサイエンス
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- シリコンフォトダイオード KD834新光電子株式会社
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- 近赤外広帯域 InGaAsフォトダイオード株式会社オプトロンサイエンス
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- OPTO DIODE社 XUV−UV検出用Siフォトダイオードラドデバイス株式会社
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製品一覧
紫外 ＋可視光 波長用フォトダイオード
◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇◆波長感度は200nmから1100nm 石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。 それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。- メーカー・取扱い企業：
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Si高速フォトダイオード
◆高速シリコンフォトダイオード ◆800nm波長域にピーク ◆高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様高速シリコンフォトダイオードは800nm波長域にピークを持ち、高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様のディテクターです。100Mbpsから622Mbpsと1.25Gbpsフォトダイオードの２種類あります。 【100Mbps / 622Mbpフォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンディテクターシリーズは短距離データ通信用にデザインされた製品です。 【850nm 1.25 Gbps フォトダイオード】 OSI オプトエレクトロニクス社の大有効径の高速シリコンピンフォトダイオードシリーズは850nmの短距離データ通信用にデザインされた製品です。- メーカー・取扱い企業：
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Siポジションセンサーフォトダイオード
◆1次元または2次元アクティブ領域効果 ◆アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能 ◆ポジションセンシングセグメント化され、1次元または2次元アクティブ領域に横効果PSDが利用できる。 幅広いアプリケーションに適合するように、アクティブ領域のサイズやパッケージングの対応可能。 横効果のPSDが広い横方向の変位を測定するのに最も適しているのでセグメント化された検出器は、典型的には、ビームヌルアプリケーションで使用される。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。- メーカー・取扱い企業：
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1000-2600nmフォトダイオード「1000-2600」
ガスのセンシングに最適！1000-2660nmまでの波長レンジを持つフォトダイオード1000-2600nmフォトダイオード「1000-2600」は、 1000-2660nmまで波長レンジを持つフォトダイオード。 受光面は1-3mm、パッケージはTO-5です。 ガスのセンシングに使用します。 【特長】 ■スペクトル応答レンジ：1000-2600nm(typ) ■ピーク感度波長：1880nm(typ) ■応答性：0.9A/W(max) ■逆電圧：2V(max) ■暗電流：1.9mA ※詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。 ※カタログは英語版となります。- メーカー・取扱い企業：
- 【光通信機器/サイエンス/衛星 輸入商社】アイウェーヴ
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超低容量フォトダイオード
外部での電磁シールドが不要！フォトダイオードの容量を数分の一以下にし広帯域化に成功受光システムは広帯域化すると感度が低下してしまう、また、高感度の 受光ICは外来ノイズの影響を受けやすい課題がありました。 この度、その様な課題を解決する新型受光素子の開発に成功し、広帯域化、 高感度でありながら外来ノイズの影響を受け難い受光ICを製品化しました。 当社の新型フォトダイオードは独自の構造により、従来技術の限界の 数分の一以下の超低容量化により広帯域化を実現。 内部にシールド効果を持たせることが出来るので、外部での電磁シールドを 不要とする事が出来ます。 【特長】 ■広帯域での高感度化 ■従来技術のフォトダイオードに比べ寄生容量が数分の一以下 ■外来ノイズの影響を受けない受光素子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。- メーカー・取扱い企業：
- マイクロシグナル
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フォトダイオードとは？
光通信やリモコンなどの受信機や、カメラやスキャナーなどの画像センサーなどに使用！フォトダイオードとは、光を電気に変えることができる半導体の部品です。 光通信やリモコンなどの受信機や、カメラやスキャナーなどの画像センサー などに使われています。 光がフォトダイオードに当たると、光のエネルギーが半導体素子の中の電子を 励起します。そして、この励起された電子は、電気信号として出力されます。 【特長】 ■光が当たると、光のエネルギーが半導体素子の中の電子を励起 ■励起された電子は、電気信号として出力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。- メーカー・取扱い企業：
- 夏目光学
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Siフォトダイオード『CP0174AL』
ハロゲンフリー対応！小型な光学ユニットへの搭載に適したSiフォトダイオード『CP0174AL』は、可視光から近赤外光まで（400nm～1000nm）のレーザ 及びLEDなどの光量を測定することができるフォトダイオードです。 受光部のサイズは0.7mm×0.7mmで、ハロゲンフリーに対応します。 小型パッケージ COB-2PIN（2.2mm×1.22mm）の採用により、 ピコプロジェクターなどの小型な光学ユニットへの搭載に好適です。 【特長】 ■感度：0.26A/W@405nm 0.44A/W@700nm ■受光部サイズ：0.7mm×0.7mm ■小型、薄型パッケージ：2.2mm×1.22mm×1.0mm COB-2PIN ■半田リフロー対応 ■鉛フリー対応 RoHS対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。- メーカー・取扱い企業：
- YITOAマイクロテクノロジー
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ゲルマニウムフォトダイオード(Ge Photodiode)
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード・赤外フォトディテクタの製造を行っています■小から大口径まで各種：100μm～25mm ■波長感度域：800nm～1800nm ■高直線性：>10dBm ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ及びボールレンズ ■光学フィルタ：濃度フィルタ及びバンドパスフィルタ ■シングル及びデュアルステージの電子冷却可能 ■4分割フォトダイオード ■2色(Si/Ge)サンドイッチフォトダイオード ■カスタム付属品付パッケージ可能：ファイバピグテール、高信頼性ピグテール、レセプタクルとサブマウント ■各種パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8、TO-9、BNC- メーカー・取扱い企業：
- オプトロンサイエンス
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- ¥10,000～¥100,000
シリコンフォトダイオード
シリコンフォトダイオードOSPD50シリーズは、高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。端子間容量6pF、遮断周波数25MHz以上を実現しました。アクティブエリアは標準で0.8mmx0.8mm 1.2mmx1.2mm 2.0mmx2.0mmの３種類を用意しプラスチックパッケージサイズは小型で4x4.8x1.8mmになります。分光感度特性は可視〜赤外域用(λ=320nm~1100nm) 赤外域用(λ=760nm~1100nm)及び特別感度波長範囲としてλ=600nm~720nmの３タイプを用意。実装面積の小スペース化を可能にするリードフォーミングタイプへの対応も可能です。魅力的な低価格と短納期にて対応致します。- メーカー・取扱い企業：
- オー工ステンプ
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Nd-YAG最適化フォトダイオード
◆Nd:YAG感度 高耐電圧 ◆大きい有効径 ◆高速感度 ◆高精度 ◆低電気容量、低ノイズ、高速操作が可能◆YAGレーザー出力光の位置検出用 ◆1060nmで高感度に最適化されたフォトダイオード ◆高い逆バイアス電圧(200ボルト)で操作 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。 長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。- メーカー・取扱い企業：
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GaAsフォトダイオード OSI optoelectronics
◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ ◆400から850nmに感度がありアクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様 ［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパシタンス・ダーク・カレント・最大逆電圧・最大フォワードカレント・バンド幅・ブレイクダウン・電圧・パッケージ］ ・FCI-GaAS-4M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-4M ・FCI-GaAS-12M：70um・0.63 A/W 850nm・0.65 pF・0.03 nA・20 V max・5 mA・2 GHz 850 nm・50 V・FCI-GaAS-12M- メーカー・取扱い企業：
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Si フォトダイオード (TOパッケージ) (Si PD)
◆逆バイアス状況下で駆動◆大口径、四角形もラインナップ◆低ダークカレント◆シリコンPINフォトダイオード◆ピーク波長約940nm■スペクトル検出範囲：400nm～1100nm LD-PDはMIL-I-45208に準拠した検査システムを導入しており、 Telcordia試験要件（TA-NWT-00093）およびMIL-STD-883試験方法に準拠しています。 【パラメータ：Typical値・シンボル・試験条件】 ●丸形φ0.2～φ8.0mm ディテクタサイズ(mm)：φ0.2、φ0.5、φ1、φ2、φ4、φ5、φ8 応答波長範囲(nm)：400 – 1100・λ 応答性(A/W)：0.40、0.45、0.5、0.5、0.5、0.5、0.55・Re・VR=15V、λ=900nm 応答時間(nS)：2、5、6、8、15、15、25tr・VR=15V、RL=50Ω 暗電流(nA)：1、2、3、5、12、40、60・ID・VR=15V 逆電圧(V)：100・VB・IR=10μA 静電容量(pF)：0.8、1.2、2.0、6、20、30、70・Cj・f=1MHz、VR=15V 動作電圧(V)：0～15・VR ソケット：Coaxial/TO-46/TO-5/TO-8 飽和光パワー：0.3w/cm2- メーカー・取扱い企業：
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InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード
◆ラージアクティブエリア ◆ビームの移動確認等に最適 ◆センサー用途FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。- メーカー・取扱い企業：
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InGaAs大口径フォトダイオード
◆大口径アクティブエリアサイズ ◆波長帯：1100-1620nm ◆IR感度ディテクターアクティブエリアサイズが1mm 1.5mm と 3mmのFCI-InGaAs-XXX-Xシリーズは、OSI Optoelectronics社の1100nm から1620nmで素晴らしい応答性があるIR感度ディテクター(弱いシグナル感度もあります。)の一部です。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。- メーカー・取扱い企業：
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Siプラスチックカプセルフォトダイオード
◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード ◆高品質、高信頼性 ◆高密度パッケージ ◆強固なモールドパッケージ・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ） OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。- メーカー・取扱い企業：
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InGaAs高速フォトダイオード
◆高速70μm InGaAsフォトディテクター◆TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合FCI-H155/622M-InGaAs-70シリーズは、広範囲なトランスインピーダンスアンプを備えた高速70μm InGaAsフォトディテクターです。4 ピン TO-46パッケージで密閉したTIAとディテクターを結合することで、高速シグナルディテクションとアンプの理想的な状態を提供します。 【モデル名：アクティブエリア(直径)・応答度1310nm・応答度1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・逆電圧】 ●FCI-InGaAs-70：70 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.03 nA、Vr=5.0V・1.5 pF、Vr=5.0V・0.2 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-120：120 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.05 nA、Vr=5.0V・2 pF、Vr=5.0V・0.3 ns、Vr=5.0V・20 V、max ●FCI-InGaAs-300：300 μm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.3 nA、Vr=5.0V・10 pF、Vr=5.0V・1.5 ns、Vr=5.0V・15 V、max- メーカー・取扱い企業：
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ブラックシリコンフォトダイオード ElFys SM
【ウェアラブルデバイスに適した超高感度・SMDパッケージ】ブラックシリコンフォトダイオードElFys SMシリーズは、可視光・近赤外光の受光性能に優れたSMDパッケージのブラックシリコンフォトダイオードです。 ■超高感度 超高感度で、より多くの光電流を出力。 PPG（光電式容積脈波）モジュールのエネルギー効率を向上させます。 ■SMD小型パッケージ 「小型パッケージ」と「高い受光部充填率」で、 革新的なウェアラブル製品の設計を可能にします。 特に、ウェアラブルデバイスのヘルスモニタリング用途に適しています。- メーカー・取扱い企業：
- ケイエルブイ
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