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ICPエッチング装置 RIE-800iPC/RIE-400iPC
真空カセット室を備え、プロセス再現性や安定性に優れた本格生産用装置をご紹介
『RIE-800iPC/RIE-400iPC』は、SiCトレンチ形状の25枚連続加工の安定性を 誇るICPエッチング装置です。 高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な…
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プラズマCVD装置『PD-270STLC／PD-2201LC』
引張り～圧縮の応力制御が可能！スペースに合わせて柔軟に設置できます
サムコ株式会社では、プラズマCVD装置である『PD-270STLC／PD-2201LC』を 取り扱っております。 「PD-270STLC」は、上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜が可能。 …
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有機金属原料および酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜します
『AD-230LP』は、原子レベルの膜厚制御が可能なALD装置です。 有機金属原料および酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜。 ロードロック室を有し、反応室を大気開放することがない…
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2反応室、2カセット対応の生産装置！ナノからマイクロレベルのSi深掘りが可能
『RIE-800BCT』は、放電形式に誘導結合プラズマを採用した 生産用シリコン深掘り装置です。 高速なエッチングレートとレジストとの選択比を保ちながら、50以上の 高アスペクト比加工や低ス…
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還元に、接合に、水が効く。画期的なプラズマ処理装置についてご紹介します
『Aqua Plasma』は、水蒸気(H2O)を用いた新しい処理法です。 酸化した金属の還元、樹脂接合、親水化、有機物の分解を効率的かつ 安全に行うことが可能。 省スペースモデルの「AQ…
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GaNマイクロLEDメサ加工の結果、GaNマイクロLEDメサ加工中の発光分光データなどを掲載！
当資料では、マイクロLED向けのICPエッチングの加工例を ご紹介しています。 実験及び結果として、GaNマイクロLEDメサ加工の結果や GaNマイクロLEDメサ加工中の発光分光データなどを…
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【資料】アクア プラズマ～画期的な銀電極、銅電極の表面処理技術～
Aqua Plasmaの効果として、ESCAによる表面の深さ分析結果などを掲載しています
当資料では、アクア プラズマの画期的な銀電極、銅電極の表面処理技術を ご紹介しています。 Aqua Plasmaの効果として、銅サンプル表面の酸化深さをESCAで Arビームエッチングを用い…
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シリコンのノンボッシュプロセスの新しいデータを掲載しています
当資料では、ノンボッシュプロセスを用いたシリコン加工データについて ご紹介しています。 RIE-800iPを用いてノンボッシュプロセスで加工したシリコンエッチング結果 などを掲載。 ぜ…
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これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工をご紹介します
当社は半導体製造装置メーカーとして、GaN系発光デバイス製造における ICPエッチング装置、CVD装置及びプロセス技術を提供してきた実績があります。 また、4H-SiCパワーデバイスに対しても…
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ブレードダイシングとプラズマダイシングの比較などを掲載しています
当資料では、多種多様な材料のプラズマダイシングについて ご紹介しています。 プラズマダイシングの利点、サムコの技術などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■プラズマダ…
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還元性プラズマクリーナー『Aqua Plasma クリーナー』
金属酸化膜の安全な還元と洗浄を実現！水蒸気を用いたプラズマ処理装置
『Aqua Plasma クリーナー』は、主に水蒸気を用いた プラズマ処理装置です。 金属酸化膜の還元、有機汚れの洗浄、フォトレジストアッシング、 親水化などの表面処理を、安全に効率よく行う…
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プラスチックパッケージや液晶基板、ハイブリッドICなどの表面クリーニングに最適なバッチ式のプラズマクリーナーです。
反応室内に電極棚を複数段装備できるため、小型部品からFPD用角型基板に至るまでさまざまな形状の基板の多数処理が可能です。また、三種類の処理モード（RIEモード、プラズマモード、ダウンストリームモード）…
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表面改質に適したバッチ式のプラズマ洗浄装置（プラズマクリーナー）です。
本装置では、RIEモード、プラズマモードから処理モードを選択できるため、基板の種類に応じた最適な処理を行うことが可能です。また、省スペースで場所を選ばす、卓上型で非常にコンパクトな設計のプラズマクリー…
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UV/O3クリーナー・UVオゾンクリーナー
UV-300Hは、フォトレジストアッシング、シリコンウエハークリーニング、クロムマスククリーニングなど各種半導体プロセスの完全ドライ処理を高濃度オゾンと紫外線照射の相互作用で効率よく行うことを目的とし…
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UV/O3クリーナー・UVオゾンクリーナー
UV-300は、フォトレジストアッシング、シリコンウエハークリーニング、クロムマスククリーニングなど各種半導体プロセスの完全ドライ処理を高濃度オゾンと紫外線照射の相互作用で効率よく行うことを目的として…
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UV/O3クリーナー・UVオゾンクリーナー
UV-1は、フォトレジストアッシング、シリコンウエハークリーニング、クロムマスククリーニングなど各種半導体プロセスの完全ドライ処理を高濃度オゾンと紫外線照射の相互作用で効率よく行うことを目的として開発…
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ドライエッチング装置 RIE-10NR（平行平板型RIE装置）
数百台の実績を誇る汎用性に優れたドライエッチング装置。
● 高い選択比と高精度のエッチングが可能。 ● PLCコントロールによる自動運転およびプロセスパラメータの保存が可能。 ● 試料はφ8インチまで対応可能。 ● 高速排気エッチン…
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洗浄装置・UV/O3洗浄装置・ドライ洗浄装置・クリーナー(クリーニング装置)・ストリッパー(ストリッピング装置)
洗浄装置・UV/O3洗浄装置・ドライ洗浄装置・クリーナー(クリーニング装置)・ストリッパー(ストリッピング装置)
● 大気圧作動であるため真空システムが不要 ● コンパクト設計 ● 操作が簡単、メンテナンスが容易 ● 低コスト
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ドライエッチング装置・リアクティブイオンエッチング装置・コンパクトエッチャー・アッシング装置・クリーナー(クリーニング装置)
ドライエッチング装置・リアクティブイオンエッチング装置・コンパクトエッチャー・アッシング装置・クリーナー(クリーニング装置)
● ワンタッチ操作のみで特別な操作が不要です。 ● 設置スペースが小さく場所を選びません。 ● 試料はφ4インチまで対応可能。 ● 専用機であるため低価格。
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プラズマCVD装置
●コンパクトな設計でありながら、試料は3インチウエハーなら5枚、4インチウエハーなら3枚、8インチウエハーなら1枚が対応可能。 ●最大100ステッププロセスが可能。 ●ロードロック室を装備している…
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プラズマCVD装置
● トレーカセット方式を採用。 1. 搬送時間短縮により高スループットを実現。 2. トレー変更によりφ2インチ〜φ8インチのウエハーに対応可能。 ● 真空カセット…
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化合物半導体プロセス用 ICPエッチング装置
RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大…
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厚膜形成用プラズマCVD装置。高速かつ低ストレス（特許出願中）
● 独自のセルフバイアス法の採用により高速（3000〜5000Å/min）かつ低ストレスの成膜が可能。（特許出願中） ● 室温〜350℃程度の低温成膜が可能。また、プラスチック上への成膜が可能…
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XeF2エッチング装置
●完全ドライプロセスであるため、スティクションによる自立デバイスの破壊を抑制することが可能。 ●ウエットプロセスにおける前処理、後処理が不要。 ●ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチ…
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