掲載開始日：2021-04-14 00:00:00.0
西日本新聞社様に弊社のSuper Junction MOSFETを掲載いたしました！
- 西日本新聞社 掲載 4月10日
西日本新聞社様に3月に引き続き4月10日土曜日の朝刊にてアイスモスのスーパージャンクションMOSFETの宣伝や会社概要を載せていただきました！
なんと3分の1紙面を閉める大きさです！
西日本エリアの製造会社様に弊社の名前をいち早く知って頂き、ご興味持っていただければと思います。
取扱会社
【取扱品目】 ■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded MEMS = Microelectromechanical Systems DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V) 特長: 低オン抵抗 超低ゲート電荷量 耐高dv/dt特性 高耐アバランシェ特性 耐高ピーク電流特性 増相互コンダクタンス特性 アプリケーション: 産業用電源、充電器 データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet 屋内外の電灯 : HID 、LED電灯 LED TV Driver ,動力電源 太陽光発電 HV,EV 充電器
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