テルモセラ・ジャパン株式会社 【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃
- 最終更新日:2023-08-26 16:58:50.0
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半導体、電子基板、真空薄膜プロセス装置・研究開発用【超高温基板加熱機構】
対応基板サイズ:Φ2〜6inch
真空(UHV対応可能)・不活性ガス・O2・各種プロセス反応性ガス雰囲気等でご仕様いただけます。(詳細別途協議)
基本情報【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃
◉ 超高真空・不活性ガス雰囲気中・その他各種プロセスガス雰囲気に対応
◉ ステージ上下昇降(基板又はヒーター昇降、基板&ヒータ二段昇降式)
◉ 基板回転
◉ RF(1KW)/DC(800V)バイアス印加(逆スパッタ)
◉ 使用環境に応じたエレメントの選択:
グラファイト, CCコンポジット, ハロゲンランプヒーター, グラファイト/SiCコーティング, グラファイト/PBNコーティング, PGコーティング, AlNヒーター
◉ 各種真空フランジ接続:ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ
◉ K, C, R熱電対付属
◉ その他オプション:温度制御ユニット, Inc, グラファイト or SiC基板ホルダー
価格情報 |
詳細は当社までお問い合わせ下さい。 仕様により価格変動します、当社までお気軽にお問い合わせ下さい。 |
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納期 |
お問い合わせください
※詳細は当社までお問合せ下さい。 |
用途/実績例 | 【用途】 CVD/PVD(真空蒸着/スパッタリング装置)、各種高温アニール用途、など 【実例】 ・TCVD. PECVD. スパッタ等の成膜装置 ・既存薄膜装置加熱ステージの高温化, 上下/回転/バイアス機構の増設改造 ・新規プロセス評価機、試作機への搭載 |
詳細情報【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃
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4inch hot stage max1200C with bias
4inch hot stage max1200℃ RF bias事例
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4inch hot stage with water cooling
4inch hot stage水冷ハウジング付き設置事例
Max1200℃グラファイトエレメント インコネルウエハーホルダー
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大気側Z軸駆動モーター
大気側Z軸駆動モーター(50mmストローク例)
RFバイアス
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2inch hot stage NiCr element max1000C with bias
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Inconel wafer holder
カタログ【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃
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