株式会社ウェーブフロント 粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』 http://www.ipros.jp/public/product/image/a8f/2000043238/IPROS3350611934027698285.png 【特長】 ●時間スキームに陰解法を用いており、通常の解法に比べて大きな  計算時間幅 Δt で安定に時間発展を求めることが可能 ●中性ガスと電子およびイオンとの衝突反応モデルには   onte-Carlo Scattering 法を採用しており、複雑な反応過程を精度良く、   迅速に計算が可能。 ●中性ガスモジュールは上記プラズマモジュールで用いる初期中性ガス   分布を求めるもので、DSMC法を用いて短時間でガス流れを評価できます ●スパッタ粒子モジュールはマグネトロンスパッタ装置などにおいて、 ターゲットからスパッタされた原子のプラズマおよび中性ガス中の挙動を   求めるもので、対向基板上へのフラックス分布などが短時間で評価が可能 ●その他機能や詳細については、カタログをご覧ください。 株式会社ウェーブフロント 設計・生産支援 > CAE > その他解析 Particle-PLUS

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『Particle-PLUS』 はプラズマ反応炉や化学蒸着(CVD)などのシミュレーションに適したプラズマ解析ソフトウエアです。

Particle-PLUSは、粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです。プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに有効なソフトです。二周波CCPや外部回路モデルなどの高度な物理モデルに対する解析も可能です。充実したサポートによりシミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことができます。プラズマを解析するのに粒子モデルを用い、電子・イオンを代表する粒子の運動を追跡するPIC / MC (Particle In Cell / Mote Carlo)法を採用しております。また、対象プラズマ密度に応じて比較的高密度では陰解法を、低密度では陽解法と使い分けることにより、複雑なモデルでも効率良く解くことができます。特に流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします。標準機能でのCCP、ICP、マグネトロンスパッタ計算はもちろんのこと、お客様の装置にあわせたカスタマイズも行っております。

基本情報粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

【特長】
●時間スキームに陰解法を用いており、通常の解法に比べて大きな
 計算時間幅 Δt で安定に時間発展を求めることが可能
●中性ガスと電子およびイオンとの衝突反応モデルには
  onte-Carlo Scattering 法を採用しており、複雑な反応過程を精度良く、
  迅速に計算が可能。
●中性ガスモジュールは上記プラズマモジュールで用いる初期中性ガス
  分布を求めるもので、DSMC法を用いて短時間でガス流れを評価できます
●スパッタ粒子モジュールはマグネトロンスパッタ装置などにおいて、
ターゲットからスパッタされた原子のプラズマおよび中性ガス中の挙動を
  求めるもので、対向基板上へのフラックス分布などが短時間で評価が可能

●その他機能や詳細については、カタログをご覧ください。

価格 -
※お問い合わせください
価格帯 100万円以上 500万円未満
納期 1週間以内
発売日 取扱い中
型番・ブランド名 Particle-PLUS
用途/実績例 【二周波容量結合型プラズマ】
・ 高密度プラズマを得るための電圧などの最適化
・ チャンバー壁の損傷
・ 外部回路モデルを用いた電力の最適化
- 現実の装置に沿った電圧を電極板に印加することが可能
- 印加電圧の波形がなめらかで比較的現実的な電圧でシミュレーションが可能
- 無理な電圧を掛けないために計算が比較的安定
【DC マグネトロンスパッタリング】
・ 磁場分布依存のエロージョンの均一性
・ スパッタされた材料の基板への吸着分布
【パルス電圧マグネトロンスパッタリング】
・ 効率良く材料をスパッタさせるためのパルス電圧の印加時間などの最適化
【イオン注入】
・ Sus がエロージョン分布に及ぼす影響
【電極板の印加電圧の時間推移】
・ 電子密度やイオン速度分布など,実験測定では見ること困難な
  物理量を見ることが可能
・ 電子密度やイオン速度分布を調べることで, 膜の均一性やチャンバー壁の損  傷を調べることが可能
・ 計算条件を変更して,低電力で高密度プラズマ発生の最適化が可能




よく使用される業種 産業用機械、機械要素・部品、民生用電気機器、産業用電気機器、電子部品・半導体、光学機器、自動車・輸送機器、造船・重機、ソフトウェア、CAD/CAM、環境、エネルギー、建材・資材・什器、その他製造

カタログ粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』 表紙画像

Particle-PLUSは、粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです。プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに有効なソフトです。二周波CCPや外部回路モデルなどの高度な物理モデルに対する解析も可能です。充実したサポートによりシミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことができます。プラズマを解析するのに粒子モデルを用い、電子・イオンを代表する粒子の運動を追跡するPIC / MC (Particle In Cell / Mote Carlo)法を採用しております。また、対象プラズマ密度に応じて比較的高密度では陰解法を、低密度では陽解法と使い分けることにより、複雑なモデルでも効率良く解くことができます。特に流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします。標準機能でのCCP、ICP、マグネトロンスパッタ計算は
もちろんのこと、お客様の装置にあわせたカスタマイズも行っております。

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粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』 表紙画像

Particle-PLUSは、粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです。プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに有効なソフトです。二周波CCPや外部回路モデルなどの高度な物理モデルに対する解析も可能です。充実したサポートによりシミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことができます。プラズマを解析するのに粒子モデルを用い、電子・イオンを代表する粒子の運動を追跡するPIC / MC (Particle In Cell / Mote Carlo)法を採用しております。また、対象プラズマ密度に応じて比較的高密度では陰解法を、低密度では陽解法と使い分けることにより、複雑なモデルでも効率良く解くことができます。特に流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします。標準機能でのCCP、ICP、マグネトロンスパッタ計算は
もちろんのこと、お客様の装置にあわせたカスタマイズも行っております。

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半導体関連装置向けに特化した解析ソフトウェア

半導体関連装置向けに特化した解析ソフトウェア 表紙画像

◆2つのシステムでさまざまな事例に対応◆
・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション
・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション
・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE )
などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション
・物理蒸着(PVD)真空蒸着(抵抗加熱,電子ビーム加熱,高周波誘導加熱、レーザー加熱)のシミュレーション
・スパッタリング(マグネトロン、イオンビーム)のシミュレーション
・プラズマエッチングのシミュレーション

など、半導体関連装置に特化したシミュレーションソフトです
◆さまざまな計算結果を出力◆
・化学反応の計算
・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算
・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算
・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能
・成膜速度分布
・電子とイオンの密度分布
・ラジカルと励起種の発生分布
・イオンフラックス分布
・エロージョン速度分布
など
◆お客様のニーズに合わせた対応◆
ソフト販売も含め、受託計算も実施しております。
※詳しくお気軽にお問い合わせください!

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スパッタリング装置解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

スパッタリング装置解析ソフトウェア『Particle-PLUS』 表紙画像

Particle-PLUSは、粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです。プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに有効なソフトです。二周波CCPや外部回路モデルなどの高度な物理モデルに対する解析も可能です。充実したサポートによりシミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことができます。プラズマを解析するのに粒子モデルを用い、電子・イオンを代表する粒子の運動を追跡するPIC / MC (Particle In Cell / Mote Carlo)法を採用しております。また、対象プラズマ密度に応じて比較的高密度では陰解法を、低密度では陽解法と使い分けることにより、複雑なモデルでも効率良く解くことができます。特に流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします。標準機能でのCCP、ICP、マグネトロンスパッタ計算は
もちろんのこと、お客様の装置にあわせたカスタマイズも行っております。

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半導体装置装置解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

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Particle-PLUSは、粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです。プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに有効なソフトです。二周波CCPや外部回路モデルなどの高度な物理モデルに対する解析も可能です。充実したサポートによりシミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことができます。プラズマを解析するのに粒子モデルを用い、電子・イオンを代表する粒子の運動を追跡するPIC / MC (Particle In Cell / Mote Carlo)法を採用しております。また、対象プラズマ密度に応じて比較的高密度では陰解法を、低密度では陽解法と使い分けることにより、複雑なモデルでも効率良く解くことができます。特に流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします。標準機能でのCCP、ICP、マグネトロンスパッタ計算は
もちろんのこと、お客様の装置にあわせたカスタマイズも行っております。

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CVD装置解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

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Particle-PLUSは、粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです。プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに有効なソフトです。二周波CCPや外部回路モデルなどの高度な物理モデルに対する解析も可能です。充実したサポートによりシミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことができます。プラズマを解析するのに粒子モデルを用い、電子・イオンを代表する粒子の運動を追跡するPIC / MC (Particle In Cell / Mote Carlo)法を採用しております。また、対象プラズマ密度に応じて比較的高密度では陰解法を、低密度では陽解法と使い分けることにより、複雑なモデルでも効率良く解くことができます。特に流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします。標準機能でのCCP、ICP、マグネトロンスパッタ計算は
もちろんのこと、お客様の装置にあわせたカスタマイズも行っております。

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取扱企業粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』

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株式会社ウェーブフロント

株式会社ウェーブフロントの企業理念は、 日本の製造業における研究開発~設計~製造~メンテナンスまでのプロセスをシミュレーションという観点からサポートし、 企業活動の高度化・効率化に寄与することです。 弊社ではこの企業理念の下、 CAEと設備資産管理、 信頼性に関するソリューションを提供しています。 CAEの分野では流体解析からマルチフィジックス解析まで各種シミュレーションソフトウェアと これに関連するプリプロセッサ・ポストプロセッサを、設備資産管理の分野では、各種の装置・設備のメンテナンス管理ソフトウェアを、機能安全・信頼性の分野では故障率のコンサルティングからツールの提供まで一貫したサービスを行っています。

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