アルミイオン注入深さ分析イオンテクノセンター

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分析結果の紹介

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン
質量分析（SIMS）が適しています。

SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを
イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。

アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では
測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を
1E16n/cm3に下げることが出来ました。

【注入条件】
■エネルギー：180keV
■ドーズ量：1E15n/cm2
(ドーズ量は当社の RBS によって得られた値を使用)

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関連リンク - http://www.iontc.co.jp/service/analysis.html#resul…

基本情報アルミイオン注入深さ分析

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