書籍【GaNパワーデバイスの技術展開】 S&T出版

省エネ社会のキーテクノロジーとして注目されるGaNパワーデバイス。その開発にむけた結晶生成からパッケージまで関連技術を詳説!

○発刊日2012年04月25日○体裁B5判上製本 264頁○価格：本体 60,000円＋税 →STbook会員価格：56,952円＋税
○著者：
江川　孝志名古屋工業大学 /
纐纈　明伯東京農工大学 /
熊谷　義直東京農工大学 /
村上　尚東京農工大学 /
福田　承生東北大学/(株)福田結晶技術研究所 /
吉田　一男旭化成(株) /
森　勇介大阪大学 /
今出　完大阪大学 /
丸山　美帆子大阪大学 /
吉村　政志大阪大学 /
岩谷　素顕名城大学 /
河合　弘治 (株)パウデック /
小宮山　純コバレントマテリアル(株) /
柳澤　淳一滋賀県立大学 /
橋詰　保北海道大学 /
中野　由崇中部大学 /
土肥　俊郎九州大学 /
會田　英雄並木精密宝石(株) /
鄒　弘綱 (株)アルバック /
上村　隆一郎 (株)アルバック /
渡邉　純二熊本大学 /
後藤　崇之三菱重工業(株) /
井手　健介三菱重工業(株) /
他7名

関連リンク - http://www.stbook.co.jp/products/detail.php?produc…

基本情報書籍【GaNパワーデバイスの技術展開】

第1章　GaNパワーデバイスの概要・特性・開発動向
第2章　GaN結晶成長技術(バルク)
　1節　HVPE法によるGaN結晶育成
　2節　アモノサーマル法によるGaNバルク結晶成長
　3節　Naフラックス法によるGaN結晶育成
第3章　GaN結晶成長技術(エピタキシャル)
　1節　MOVPE-サファイア基板上へのc面GaNの成長メカニズム
　2節　ワイドストライプELO-GaN成長とデバイス応用
　3節　MOVPEによる大口径GaN on Si基板の開発
　4節　MOCVD-サファイア基板を要しない窒化ガリウム局所形成
第4章　GaN結晶の物性評価
　1節　GaN半導体の界面準位評価
　2節　AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位評価
第5章　GaN結晶加工
　1節　GaN結晶基板の超精密加工技術
　2節　GaNやサファイア基板のエッチング装置の開発
　3節　紫外光励起による材料表面の超平滑化
　4節　　常温ウェーハ接合装置(GaNを1事例として)
第6章　GaNパワーデバイスの応用

価格情報	本体 60,000円＋税 →STbook会員価格：56,952円＋税
価格帯	1万円 ~ 10万円
納期	2・3日
用途／実績例	プラント

カタログ書籍【GaNパワーデバイスの技術展開】

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