書籍【ウェットエッチングのメカニズムと処理パラメータの最適化】
書籍【ウェットエッチングのメカニズムと処理パラメータの最適化】 http://www.ipros.jp/public/product/image/f36/2000118228/IPROS433856089708633123.jpg 第1章 ウェットエッチングのメカニズムとエッチング速度・精度への影響因子  第1節 銅ウェットエッチングのメカニズムと影響支配因子  第2節 銅エッチング液の特性と速度支配因子  第3節 金属・合金ウエットエッチング処理の最適化  第4節 透明導電膜(ITO)ウェットエッチングの課題と対策技術  第5節 異方性ウェットエッチング加工のメカニズムと処理の最適化  第6節 化合物半導体のウェットエッチング技術  第7節 ガラスのウェットエッチング-マイクロ化学チップの作製法  第8節 ポリイミドのウェットエッチング  第9節 PETフィルムのウェットエッチング  第10節 ローカルウエットエッチング法による光学素子の高精度加工  第11節 BMのCrエッチング液の性能評価 第2章 エッチング液・浴の管理と最適化 第3章 ウェットエッチング装置の種類・特徴とエッチング処理のポイント 第4章 高度先端技術化への展望 S&T出版株式会社 セミナー・スキルアップ > 技術者向け > 技術書・参考書 本体 55,000円+税
  • 豊富な実務経験に基づくウェットエッチング技術と、メカニズム・影響因子の最先端研究を解説!
    S&T出版株式会社
    ○発刊日2008年07月30日○体裁B5判上製本 223頁○価格:本体 55,000円 →STbook会員価格:52,190円+税○著者:松本 克才 八戸工業高等専門学校 /
    高井 健次 日立化成工業(株) /
    多田 修 平井精密工業(株) /
    石川 典夫 関東化学(株) /
    式田 光宏 名古屋大学 /
    篠田 和典 (株)日立製作所 /
    渡慶次 学 名古屋大学 /
    菊谷 善国 マイクロ化学技研(株) /
    小国 隆志 東レエンジニアリング(株) /
    石井原 耕一 東洋クロス(株) /
    山村 和也 大阪大学 /
    竹中 敦義 旭硝子(株) /
    青山 哲男 林純薬工業(株) /
    猪原 康正 (株)石井表記 /
    板谷 謹悟 東北大学 /
    八尾 秀樹 住友電気工業(株) /
    鍛示 和利 (株)日立製作所
  • S&T出版書籍【ウェットエッチングのメカニズムと処理パラメータの最適化】
    S&T出版書籍【ウェットエッチングのメカニズムと処理パラメータの最適化】

基本情報書籍【ウェットエッチングのメカニズムと処理パラメータの最適化】

第1章 ウェットエッチングのメカニズムとエッチング速度・精度への影響因子
 第1節 銅ウェットエッチングのメカニズムと影響支配因子
 第2節 銅エッチング液の特性と速度支配因子
 第3節 金属・合金ウエットエッチング処理の最適化
 第4節 透明導電膜(ITO)ウェットエッチングの課題と対策技術
 第5節 異方性ウェットエッチング加工のメカニズムと処理の最適化
 第6節 化合物半導体のウェットエッチング技術
 第7節 ガラスのウェットエッチング-マイクロ化学チップの作製法
 第8節 ポリイミドのウェットエッチング
 第9節 PETフィルムのウェットエッチング
 第10節 ローカルウエットエッチング法による光学素子の高精度加工
 第11節 BMのCrエッチング液の性能評価
第2章 エッチング液・浴の管理と最適化
第3章 ウェットエッチング装置の種類・特徴とエッチング処理のポイント
第4章 高度先端技術化への展望

価格

本体 55,000円+税
※→STbook会員価格:52,190円+税

価格帯

1万円以上 10万円未満

納期

2・3日

発売日

2008年07月

用途/実績例

先端技術

よく使用される業種

化学、ガラス・土石製品、セラミックス、鉄/非鉄金属、民生用電気機器、産業用電気機器、電子部品・半導体、光学機器、製造・加工受託、教育・研究機関

カタログ書籍【ウェットエッチングのメカニズムと処理パラメータの最適化】

  • ○発刊日2008年07月30日○体裁B5判上製本 223頁○価格:本体 55,000円+税→STbook会員価格:52,190円+税○目次:第1章 ウェットエッチングのメカニズムとエッチング速度・精度への影響因子
     第1節 銅ウェットエッチングのメカニズムと影響支配因子
     第2節 銅エッチング液の特性と速度支配因子
     第3節 金属・合金ウエットエッチング処理の最適化
     第4節 透明導電膜(ITO)ウェットエッチングの課題と対策技術
     第5節 異方性ウェットエッチング加工のメカニズムと処理の最適化
     第6節 化合物半導体のウェットエッチング技術
     第7節 ガラスのウェットエッチング-マイクロ化学チップの作製法
     第8節 ポリイミドのウェットエッチング
     第9節 PETフィルムのウェットエッチング
     第10節 ローカルウエットエッチング法による光学素子の高精度加工
     第11節 BMのCrエッチング液の性能評価
  • ○発刊日2012年03月05日○体裁B5判上製本 412頁○価格:本体 60,000円+税 →STbook会員価格:56,952円+税○目次:第1章 プラズマ化学反応の特徴
    第2 章 大気圧プラズマの基礎(※)
    第3 章 大気圧プラズマによる粒子設計と粉体処理
     第1 節 大気圧プラズマによる粉体の表面処理とナノ粒子合成
     第2 節 大気圧プラズマ技術を利用したナノメディカル粒子による
     新しい生体防御理論構築と,ヘルスバイオサイエンスへの経済学的考察 
    第4 章 大気圧プラズマによる表面改質と洗浄
    第5 章 大気圧プラズマによる膜形成
    第6 章 エッチング・加工技術
    第7 章 大気圧プラズマCVD による単層カーボンナノチューブ合成
    第8 章 大気圧プラズマによる滅菌およびバイオ分野への応用
    第9 章 液中プラズマ
    第10 章 大気圧マイクロプラズマとその材料プロセスへの応用(※)
    第11 章 アルゴンプラズマ凝固法の原理と応用(※)
    (※)印のあるものは2006年発刊【大気圧プラズマの生成制御と応用技術】と同じ内容です。
  • ○発刊日2010年05月14日○体裁B5判上製本 309頁○価格:本体 60,000円+税 →STbook会員価格:56,952円+税○目次:第1章.SiCパワーデバイス技術動向・課題と今後の展開
    第2章.SiC単結晶成長技術(昇華法) ~高品質化・大口径化~
    第3章.SiC単結晶ウェーハの開発動向
    第4章.SiCバルク結晶の溶液成長技術
    第5章.SiC半導体基板の超平坦化加工/研磨スラリー技術
    第6章.SiCの異方性エッチング技術
    第7章.プラズマエッチングによるSiCの表面平滑化
    第8章.SiCエピタキシャル成長技術の最新動向
    第9章.4H-SiCエピ成長における拡張欠陥の挙動
    第10章.SiC向け半導体製造技術と装置
    第11章.SiCパワーデバイス用酸化膜の形成方法
    第12章.SiCへの金属電極の形成方法
    第13章.パワーデバイス用金属電極/SiCの界面反応組織と信頼性
    第14章.SiCパワーデバイス量産に向けたCVD技術
    第15章.SiCパワーデバイス超高温熱処理装置
    第16章.SiCパワーデバイス用SIT
    ~21章

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