レポート　サムソンメモリーセルのプロセス比較レポートテックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

20nm class DRAMと0nm class 2Gb DDR3DRAMのセル構成を比較したレポートです。

「Samsung 20nm class 3GB(6x4Gbit) LPDDR3」の構造解析を再構成したものです。
主な目的は20nm class DRAMとそれの一世代前の30nm class 2Gb DDR3
DRAMのセル構成を比較するものです。（20nm classは単に”2X nm”と指定されています。）

【特徴】
■6つの2X nm class4GBを使用しているチップ
■一つのパッケージ内に3チップスタック・2セットが対称に構成
■パッケージの厚さ：6つのダイ構成で0.8mm

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関連リンク - http://www.techinsights.com/default_japanese.aspx

基本情報レポート　サムソンメモリーセルのプロセス比較レポート

【目次】
Executive Summary
Device Summary
Process Summary
1.0 Package and Die Markings
2.0 Process
3.0 Layout and Structural Analysis
　　of the Memory Cell
4.0 Critical Dimensions
5.0 Major Findings
6.0 Materials Analysis
　
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用途／実績例	【用途】 ○構造解析レポートとして ※詳細は資料請求して頂くか、ダウンロードからPDFデータをご覧下さい。

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テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

テックインサイツは、カナダの首都オタワに拠点を置くグローバルなマイクロエレクトロニクス業界を対象とした技術・知財コンサルタント会社です。弊社は、VLSI集積回路および電子システムの綿密な技術調査・解析を通じて、顧客の知的財産（IP）権の行使や新しいテクノロジーおよび製品の開発と商品化をサポートします。