一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価
- 最終更新日：2023-04-04 10:12:02.0
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市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。
SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素（N,Al,P）の深さ濃度分布を評価しました。
測定法：SIMS・SCM・TEM
製品分野：パワーデバイス
分析目的：微量濃度評価・形状評価・製品調査
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基本情報【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価
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| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | パワーデバイスの分析です |
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