株式会社フェローテックホールディングス CVD-SiC（化学蒸着法）「SiC製品」
- 最終更新日：2017-12-26 17:07:03.0
- 印刷用ページ
独自の CVD - SiC（ 化学蒸着法）で製作されたアドマップの SiC 製品は、
超高純度・高耐食性・高耐酸化性・高耐熱性・高耐摩耗性の特性を備えています。
半導体をはじめ、産業機械、原子力、航空宇宙分野など、
あらゆるフィールドで高い評価を得ております。
【特長】
○塩酸・硫酸・硝酸・弗酸・弗硝酸などの酸ではほとんど腐食しない
○表面には二酸化ケイ素（SiO2）被膜が形成されるため高い耐酸化性がある
○融点や軟化点などを持たず、約2000℃を超える温度で昇華するまで安定
○ダイヤモンドや炭化ホウ素に次いで硬い化合物
○緻密で高純度
詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
基本情報CVD-SiC（化学蒸着法）「SiC製品」
【製品紹介】
○コーティング技術
→半導体製造装置用チューブ・ボート など
○膜単体製造技術
→膜単体ボートおよびSiCダミーウェハ／SiCダミーウェハ／各種膜単体部品 など
○ソリューション
→超高温アニール装置用部材／中空式および組立式ボート／超高純度SiCパウダー など
【SiC各種物性地】
[(111)配向性材料 ／ 等方性材料]
○密度 g/cm3：3.21 ／ 3.21
○曲げ強度（室温） MPa：382 ／ 539
○引張り強度（室温） MPa：294 ／ -
○ヤング率（室温） GPa：478 ／ 447
○硬さ：HK:3500 ／ -
○熱膨張係数（室温～1000℃） 1/K：4.5×10^-6 ／ 4.5×10^-6
○熱伝導率（板厚方向） W/m・K：- ／ 264
○熱伝導率（面内方向） W/m・K：280 ／ 236
○比熱 J/g・K：0.65 ／ 0.67
○比抵抗 Ω・cm：10^4 ≦ ／ ≦10^2
●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
| 価格情報 | お問い合わせ下さい。 |
|---|---|
| 納期 |
お問い合わせください
※お問い合わせ下さい。 |
| 用途／実績例 | ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 |
カタログCVD-SiC（化学蒸着法）「SiC製品」
取扱企業CVD-SiC（化学蒸着法）「SiC製品」
-
-
装置関連事業 太陽電池関連事業 電子デバイス事業 【取り扱い製品】 ○真空シール ○石英製品 ○セラミックス製品 ○半導体用シリコンインゴット ○シリコンウェーハ加工 ○シリコン単結晶引上装置 ○シリコン多結晶製造装置 ○角切りソー装置 ○石英るつぼ ○角槽るつぼ ○太陽電池用シリコンインゴット ○太陽電池用ウェート ○サーモモジュール ○磁性流体 ○装置部品洗浄 ○工作機械 ○ソーブレード ○表面処理
CVD-SiC（化学蒸着法）「SiC製品」へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。
