株式会社フェローテックホールディングス CVD-SiC（化学蒸着法）「膜単体製造技術」
- 最終更新日：2017-12-26 17:09:14.0
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厳しい環境下で多数の実績！適応可能が幅広い膜単体製造技術
コーティング技術を応用し、緻密なSiC膜のみで構成された製品を提供いたします。
平板をはじめ、複雑形状まで幅広く適応可能です。
半導体製造装置を中心に、超高温やプラズマの厳しい環境下での数多くの実績があります。
【製造工程(例)】
１．黒鉛基材を円板状に加工
２．全面にCVD-SiCコーティング
３．外周加工により基材を露出
４．高温酸化雰囲気中で基材除去
５．2枚の膜単体円板となる
６．研削/研磨・面取り・洗浄・検査
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基本情報CVD-SiC（化学蒸着法）「膜単体製造技術」
【技術と製品】
○SiC技術
○コーティング技術
○膜単体製造技術
○SiC各種物性値
○ソリューション
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カタログCVD-SiC（化学蒸着法）「膜単体製造技術」
取扱企業CVD-SiC（化学蒸着法）「膜単体製造技術」
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装置関連事業 太陽電池関連事業 電子デバイス事業 【取り扱い製品】 ○真空シール ○石英製品 ○セラミックス製品 ○半導体用シリコンインゴット ○シリコンウェーハ加工 ○シリコン単結晶引上装置 ○シリコン多結晶製造装置 ○角切りソー装置 ○石英るつぼ ○角槽るつぼ ○太陽電池用シリコンインゴット ○太陽電池用ウェート ○サーモモジュール ○磁性流体 ○装置部品洗浄 ○工作機械 ○ソーブレード ○表面処理
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