株式会社インターフェイス 受託加工『CVD-SiCコーティング』

高硬度、耐熱、半導体特性、化学蒸着法炭化ケイ素 CVD-SiC

『CVD-SiCコーティング』は、高硬度、耐熱性、耐磨耗性に優れた
半導体特性を持つ薄膜です。

当社独自のCVD法により半導体装置部品等にも適応可能なグレードを保ち、
高純度のSiC膜を最大2mm以上析出してバルクのSiCを作成しております。

【特長】
■高硬度
■優れた耐熱性
■優れた耐磨耗性
■半導体特性を有する
■半導体装置部品等にも適応可能

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報受託加工『CVD-SiCコーティング』

【仕様】
■色調:灰色
■硬度:2,800〜3,000HV
■膜厚:500μm〜5mm
■酸化温度:500℃
■処理温度:1200〜1500℃
■結晶配向:標準
■有効径
 ・小型:200L×200W×80T
 ・大型:φ500L×600L

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 【用途】
■高温ガラスレンズ用金型
■半導体関連部品 など

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カタログ受託加工『CVD-SiCコーティング』

取扱企業受託加工『CVD-SiCコーティング』

株式会社インターフェイス.JPG

株式会社インターフェイス

【取扱製品】 ■金属・セラミックス等への表面処理受託加工 ■CVD、PVD装置設計、製造、開発 ■真空装置の設計 ■ガス供給装置の設計

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