原子層堆積装置『AFALD-8』 JSWアフティ

優れた段差被覆性と精密な膜厚制御！高品質な成膜が可能

『AFALD-8』は、複雑な三次元構造に原子レベルで膜厚制御された成膜が
できる原子層堆積装置です。

ミリ秒単位で高品質な薄膜成膜が可能なため、低ダメージで安定した成膜を
実現。

操作性に優れたソフトウェアや、自由度の高いオプション構成ができます。

【特長】
■段差被覆性
■高精密な膜厚制御
■ピンホールフリー
■低ダメージ
■原料コスト削減

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連リンク - https://jsw-afty.co.jp

基本情報原子層堆積装置『AFALD-8』

【主な仕様】
■最大基板サイズ：Φ200mm
■装置サイズ（W×D×H）：600×1700×2060mm
■装置重量：約700Kg
■リアクタタイプ：プラズマ、熱
■プラズマ方式：CCP、13.4MHz 最大1000w
■前駆体（金属プリカーサ）搭載数：最大4基
■反応ガス搭載数：最大3系統（マスフローコントローラ）
■最高基板加熱温度：400℃（設定値）
■真空ポンプ：ドライポンプ（ケミカル対応型）
■ホットウォール：標準搭載
■配管加熱：標準搭載 ※個別制御可
■圧力コントロール：自動調圧バルブ ※各室個別制御可
■プロセスガストラップ：標準搭載
■ユーザーインターフェース：PC/AT（パーソナルコンピュータ）
■モジュールコントローラー：PLC
■ユーティリティ
・電源：三相AC200V 50/60Hz 150A
・P-N2：0.3～0.6MPa 10SLM
・P-O2：0.3～0.6MPa 6SLM
・N2：0.3～0.6MPa 65SLM
・圧縮空気：0.5～0.7MPa 15SLM

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯	お問い合わせください
納期	お問い合わせください
用途／実績例	【用途】 ■原子層堆積装置として ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。