GaN基板LEDの3D TCADシミュレータクロスライトソフトウェアインク日本支社

プロセス/デバイスシミュレーション統合環境(TCAD)でのLED 3D解析ツール

プロセスシミュレーター(CSuprem)とデバイスシミュレーター(APSYS)を統合したTCADで多重量子井戸(MQW)構造LEDの解析を紹介。ポテンシャル、電流密度、温度とキャリア分布をシミュレートし結果を3Dで表示。デバイス断面構造の設定にはGUIインターフェイスを持ったLayerBuilder(標準付属)を使用。電極などレイアウトパターンは、GDSフォーマット対応の、MaskEdior(標準付属)で作成。これらの情報をもとに、CSupremで3Dメッシュとドーピングプロファイルを生成。デバイスシミュレーター(APSYS)で、電気的な特性(IQEなど)と熱的特性をシミュレーション。また、オプション機能のオプトウィザード(Optowizard)を用いて、光線追跡(raytracing)またはFDTDによる光抽出が可能。

関連リンク - http://crosslight.jp/Tech/product.html

基本情報GaN基板LEDの3D TCADシミュレータ

＜主な特徴＞
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能

＜多様な物理モデルや機能＞
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布
■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス

＜インターフェイス＞
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

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用途／実績例	プロセス/デバイスシミュレーション統合環境(TCAD)でのLED 3Dデバイス解析