ナノサイズGaN HEMTのシミュレータクロスライトソフトウェアインク日本支社

GaN HEMTのデバイス解析ツール

APSYSの電界効果トランジスタ(FET)デバイス解析に利用する物理モデルを説明。量子バリスティック電流輸送(Quantum ballistic current transport)モデルの紹介。APSYSによるGaN HEMTの非平衡グリーン関数法(NEGF: Non-Equilibrium Green's Function)と移動拡散方程式によるシミュレーション結果を比較。I-V特性の形状においてNEGFによる結果は実験結果に類似。

関連リンク - http://crosslight.jp/Tech/product.html

基本情報ナノサイズGaN HEMTのシミュレータ

＜主な特徴＞
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能

＜多様な物理モデルや機能＞
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布
■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス

＜インターフェイス＞
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

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用途／実績例	GaN HEMTのデバイスシミュレーションによる解析