クロスライトソフトウェアインク日本支社 HEMTシミュレータ
- 最終更新日:2020-05-12 11:14:38.0
- 印刷用ページ
HEMTシミュレーションにおける解析ツール
「GaN/AlGaN HEMTにおける圧電分極(Piezoelectric charge)、核形成層(nucleation layer)と半絶縁トラップ(semi-insulating traps)」、「GaN/AlGaN HEMTにおけるホットキャリアトラップ(Hot Carrier Trapping)」、「InGaAs HEMTにおけるインパクトイオン化効果」の各課題を具体的なデバイスでシミュレーション、結果を解説。
基本情報HEMTシミュレータ
<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能
<多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス
<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能
価格帯 | お問い合わせください |
---|---|
納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | HEMTシミュレーションにおける課題と解析結果報告 |
カタログHEMTシミュレータ
取扱企業HEMTシミュレータ
HEMTシミュレータへのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。