省スペース化を実現！同時放電による合金膜や積層膜の形成に最適なスパタ装置
『HSK602VTA』は、6基の小型カソードが個別のシャッターと電源を
持ち、同時放電による合金膜や積層膜の形成に最適なスパタ装置です。
リボルバー式4サンプルホルダーを装備しており、一度の真空引きで
4条件の成膜ができます。
また、コンパクト設計により、省スペース化を実現しました。
【特長】
■コンパクト設計
■6カソード
■リボルバー式4サンプルホルダーを装備
■一度で4条件の成膜が可能
※詳しくはカタログをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報研究開発用スパタ装置『HSK602VTA』
【仕様】
■カソード：DCφ2”マグネトロン×6基
■シャッター機構：全個別シャッター
■スパッタDC電源：500mA × 6台独立
■基板自転：10～30 rpm
■基板ホルダー：最大φ2、4枚
■基板加熱：最大600℃
■加熱サンプルサイズ：20 × 20mm
■フランジ：電動上下機構
※詳しくはカタログをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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|---|---|
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| 用途／実績例 | ※詳しくはカタログをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログ研究開発用スパタ装置『HSK602VTA』
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