日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 『CSD18541F5』
- 最終更新日:2017-09-13 10:27:54.0
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60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD18541F5』
54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、
スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、
フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。
標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えることで、
フットプリントサイズを大幅に低減できます。
【特長】
■低オン抵抗
■きわめて低いQgおよびQgd
■超小型フットプリント:1.53mm×0.77mm
■低プロファイル:高さ0.35mm
■RoHS準拠
※詳細はお問い合わせください。
基本情報『CSD18541F5』
【その他の特長】
■ESD保護ダイオード搭載
■鉛およびハロゲン不使用
※詳細はお問い合わせください。
用途/実績例 | 【用途】 ■産業用ロードスイッチ・アプリケーションに最適 ■汎用スイッチング・アプリケーションに最適 ※詳細はお問い合わせください。 |
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