テルモセラ・ジャパン株式会社 ◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。
又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。
チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。

・ハロゲンランプヒーター:Max500℃
・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ)
・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

関連動画◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

基本情報◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

◉ 基板サイズ:Φ2inch〜4inch
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統マスフローコントローラ(オプション)
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子ポンプ:EXT75DX(Edwards社)
◉ ロータリーポンプ:RV3/RV8(Edwards社)(*ドライポンプへの変更可能)
◉ Kタイプ熱電対(ヒーター制御用)付属

価格情報 当社までお問い合わせ下さい。
納期 お問い合わせください
型番・ブランド名 ANNEAL
用途/実績例 ・電子基板、半導体、表示ディスプレー等の薄膜開発
・コーティング材料、薄膜材料の開発
・光学薄膜、装飾膜等の産業用途

詳細情報◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

ANNEAL front photo
装置外形寸法:750(W) x 500(D) x 400(H)mm
重量:約40kg(*装置構成による)

Halogen lamp heating stage
表面熱電対設置

Halogen lamp heating stage. plate removed
ハロゲンランプ加熱ステージ内部

C/Cコンポジットヒーター加熱ステージ
・CCCヒーターステージ:Max1000℃(真空、不活性ガス)
・SiCコーティングステージ:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

7
メインメニュー画面

7
グラフ表示

カタログ◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

取扱企業◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

iPROS_Thermocera-image-2.jpg

テルモセラ・ジャパン株式会社

【営業品目】 1. CVD・PVD真空薄膜実験用超高温基板加熱ヒーター 2. 真空薄膜実験装置 3. 超高温実験炉 4. 赤外線放射温度計 5. 真空コンポーネント 6. カスタムメイド装置

◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置へのお問い合わせ

お問い合わせ内容をご記入ください。

至急度必須
ご要望必須

  • あと文字入力できます。

目的必須
添付資料
お問い合わせ内容

あと文字入力できます。

【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。

はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら

イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

テルモセラ・ジャパン株式会社

◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置 が登録されているカテゴリ