TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、
あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の
解析を行う事ができます。
基本情報TEMによる電子部品・材料の解析
■エミッション発光にて特定した故障部位は
FIBにより薄片化しながら観察します。
■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて
故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し
最適な像を得ることができます。
■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき
2%以下の誤差で測長することもできます。
| 価格情報 | 内容により都度、御見積致します。 |
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※内容により異なります（特急対応あり） |
| 用途／実績例 | ・特定部位のTEM観察（半導体故障部位への応用） ・元素分析、電子線回折（EDS、EELS、電子線回折像） ＊TFT不良解析、MOS FET不良解析など半導体製品の解析 ＊LSIの構造解析 |
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