株式会社ワイ・ドライブテレセントリックｆθレンズ仕様　レーザ露光装置

最終更新日：2018-02-22 15:47:34.0
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テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能

プリンテッド・エレクトロニクス関連で、絶縁膜のパターン形成や金属パターン形成、ＭＥＭＳ形状のバンク・隔壁形成に、ポジレジスト・ネガレジストをマスクレスで直接露光する「レーザ露光機」です。テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能。h線・i線を含む、レーザ波長　375，405，650，780，830nmなど選択可能。レーザスポット径　2μm（@405nm）10μm　22μm　30μm　等。分解能　～25,400dpi　～5,080dpi　～3,000dpi 等

感光性レジストの全般（半導体露光用レジスト各種、ポリイミドレジスト、感光性Ａｇ）に対応可能。

有機ＴＦＴのゲート絶縁膜、感光性Ａｇインク　等で電極形成。
インクジェット／フレキソ／スクリーン　等の工法で困難なパターン形状の作成が、容易に可能です

基本情報テレセントリックｆθレンズ仕様　レーザ露光装置

テレセントリックｆθレンズによるレーザ露光のため、走査幅全域においてビーム形状が同じで高精度な描画が可能。　直描装置本体部をコンパクトなサイズに納めましたので、省スペースで多品種小ロットの高精細露光に最適です。
［基本仕様］下記以外の走査幅（テレセンｆθレンズ）にも特注で対応可能型　　　式　LSU-1002LSU-6010　LSU-12522　LSU-25030
レーザ波長　375，405，650，780，830nm；355，488，532nm
レーザスポット径（@レーザ波長405nm） 2μm 10μm　22μm　30μmレーザ走査幅 10mm　60mm 　125mm 　250mm
データ分解能　～25,400dpi　～5,080dpi　～3,000dpi ～1,500dpiデータフォーマット　ビットマップ（BMP）
フォーカスユニット（マニュアル操作） Zステージ
［選択オプション］
フォーカス確認ユニット、繰り返し露光機能、基準穴位置調整機能、エアーチャックテーブル

価格情報	お気軽に問い合わせください
価格帯	1000万円 ~ 5000万円
納期	お問い合わせください
型番・ブランド名	テレセントリックｆθレーザ露光装置
用途／実績例	プリンテッド・エレクトロニクス関連のパターン形成をマスクレスで実現する装置です。絶縁膜のパターン形成や金属パターン形成、ＭＥＭＳ形状のバンク・隔壁形成に、ポジレジスト・ネガレジストをマスクレスで直接露光する「レーザ露光機」です。ｈ線、ｉ線　波長なども対応可能です。テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能。h線・i線を含む、レーザ波長　375，405，650，780，830nmなど選択可能。レーザスポット径　2μm（@405nm）10μm　22μm　30μm　等。分解能　～25,400dpi　～5,080dpi　～3,000dpi 等

カタログテレセントリックｆθレンズ仕様　レーザ露光装置

取扱企業テレセントリックｆθレンズ仕様　レーザ露光装置

株式会社ワイ・ドライブ

プリンテッドエレクトロニクス工法向け技術、電子機器の開発インクジェット技術コンサルティング ■技術プリンテッドエレクトロニクス。インク飛翔観察装置カーボン系導電ペースト。285nmUVLED光源デジタルサーボ制御　ARM系CPUでベクトル制御を実現 ■製品インクジェット液滴・高精度飛翔観察装置アナログ系混在電子回路　高速/高精度・各種駆動回路インクジェット印刷機　ＣＭＹＫ４色／ＧＥＮ５使用プリンテッドエレクトロニクス用インクジェット塗布装置 ■インクジェットヘッド駆動基板　リコー社　　　　　ＧＥＮ５ヘッド　京セラ社　　　　　ＫＪ４Ａ／Ｂ　コニカミノルタ社　KM256LNB-DPN 　　　　　　　　　　KM128SNG-MB　など　FujiFilm Dimatix　SG1024、PQシリーズ　など ■ARM系CPUによるデジタルサーボ制御基板　電流ベクトル制御プログラム（d－q座標変換）を３相ＰＷＭで実現　ARM系ＣＯＲＴＥＸ-Ｍ３シリーズ　各社のＣＰＵ対応