ナノサイエンス株式会社 EAG 『SIMSによるGaN結晶中のMg注入分布評価』

『SIMSによるGaN結晶中のMg注入分布評価』 http://www.ipros.jp/public/product/image/723/2000359665/IPROS9004306582182232020.jpg 【結果の概要】 ■典型的な注入分布が得られた ■アニール後にMg分布の約400nm付近にショルダー分布が見られ、Mgが表面側へ拡散 ■1E16、5E15のドーズ量とも同様 ■アニール後にドーズ量のわずかな減少(約10%程度)も見られた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ナノサイエンス株式会社 EAG 業務支援サービス > サービス > その他受託サービス
SIMSによるGaN結晶中のMg注入分布評価をわかりやすくグラフでご紹介!

ナノサイエンス株式会社(EAGの日本法人)は、表面分析受託サービスを
行っております。

当資料では、『SIMSによるGaN結晶中のMg注入分布評価』をわかりやすく
グラフでご紹介しています。

GaN結晶中にイオン注入したMgの分布をSIMS分析を用いて測定し、注入直後の
試料とアニールした試料とで比較を行いました。

【試料のMg注入条件とアニール条件】
■エネルギー:150keV
■ドーズ量:1E16及び5E15at/cm2
■アニール条件:1230℃、窒素雰囲気、1分

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報『SIMSによるGaN結晶中のMg注入分布評価』

【結果の概要】
■典型的な注入分布が得られた
■アニール後にMg分布の約400nm付近にショルダー分布が見られ、Mgが表面側へ拡散
■1E16、5E15のドーズ量とも同様
■アニール後にドーズ量のわずかな減少(約10%程度)も見られた

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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用途/実績例 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

カタログ『SIMSによるGaN結晶中のMg注入分布評価』

取扱企業『SIMSによるGaN結晶中のMg注入分布評価』

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ナノサイエンス株式会社 EAG

【表面分析受託サービス】 ■不純物分析(定量、定性、面内分布、キャリア濃度、汚染、有機物など) ・SIMS(二次イオン質量分析) ・TOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析) ・GDMS(グロー放電質量分析) ・SRA(SiまたはGe半導体材料中の広がり抵抗測定)など ■組成分析(組成、膜厚、密度、結合状態、微小異物、マッピングなど) ・TEM/STEM-EDS(透過型電子顕微鏡) ・RBS/HFS(ラザフォード後方散乱分析/水素前方散乱分析) ・XPS/ESCA(X線光電子分光分析)・XRR(X線反射率測定)など ■形態観察/構造解析(形状、膜厚、構造、欠陥観察、結晶性、結合状態など) ・TEM/STEM(透過型電子顕微鏡) ・CL(カソードルミネッサンス) ・FIB/SEM(集束イオンビーム/走査型電子顕微鏡) ・AFM(原子間力顕微鏡)など 【その他】 ■ORS社分析サービス 気密性試験 ・IVA分析/HR-IVA分析(半導体などの封止パッケージ内の水分量、ガス成分分析) ・半導体などの封止パッケージの気密性試験

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