東京電子株式会社 電源装置『高電圧半導体スイッチ』

スイッチング素子としてSiC-MOSFETを採用し、電力損失を大幅低減

『高電圧半導体スイッチ』は、高電圧で
高速なパルスを発生させる、電源装置です。

FETを90段直列に接続し、最大90kVのスイッチングを実現しました。
運転周波数は直流から5kHzまでのパルス運転が可能です。

また、低オン抵抗や高速スイッチング等の利点があり、
90kVのスイッチユニットを給電・放電用の2台内臓しております。

スイッチユニット基板の設計・開発、製作・調整や
冷却システムの製作など、設計・開発から製品化まで行っています。

【アプリケーション】
■核融合装置のジャイロトロン用パルス電源
■EUVレーザーのパルス電源
■医療用X線制御
■加速器のクライストロン用パルス電源

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

基本情報電源装置『高電圧半導体スイッチ』

【仕様(一部)】
■最大電圧:90kV
■ピーク電流:10Ap
■運転周波数:DC~5kHz max
■寸法:H1195×W800×D1195 mm

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価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 核融合装置、加速器、成膜装置

カタログ電源装置『高電圧半導体スイッチ』

取扱企業電源装置『高電圧半導体スイッチ』

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