電気的に中性な原子ビームを採用！帯電の問題を解決した表面分析機器
『TOFLAS-3000』は、入射プローブとしてイオンではなく電気的に中性な
原子ビームを用いた飛行時間型原子散乱表面分析装置です。
本製品を使用することにより、半導体，金属のみならず絶縁体表面の
組成および原子配列の解析も可能です。
また、帯電（チャージアップ）の問題も解決します。
【特長】
■金属、半導体はもとより絶縁体の表面分析にも威力を発揮
■試料表面の元素の同定が可能
■表面下数層の原子構造解析が可能
■試料表面の極性判別が可能
■表面での動的過程のリアルタイムモニタリングに対応
■電場・磁場中でも影響なく測定が可能
※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報表面分析機器『TOFLAS-3000』
【測定モード】
■TOFスペクトル測定
■極角測定
■方位角測定
■全方位スキャン（極点図）
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| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | 【応用例】 ■薄膜成長の単原子層成長モニター ■薄膜成長モードの判定・評価 ■強磁場中での薄膜成長過程の“その場分析” ■電気的にフローティング状態にある試料の分析 ■極点図による試料表面の極性判別 ■表面偏析元素の同定など ■簡易SIMSによる高感度・高分解能元素分析 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログ表面分析機器『TOFLAS-3000』
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