PICOSUN JAPAN株式会社 ALD装置(原子層堆積装置)『P-300B』

高品質のALD膜を作り出す!MEMS機器の生産や3Dオブジェクトの成膜に!

『P-300B』は、プリントヘッド、センサー、マイクなどのMEMS機器の生産やレンズ、光学部品、機械部品、ジュエリー、コイン、医療用インプラントといった3Dオブジェクトの成膜に適した装置です。

当社が特許取得済みの高温壁設計と完全に分離した投入口を組み合わせる
ことにより、優れた生産性、低パーティクルレベル、電気性能や光学性能の優位性を実現した、高品質のALD膜を作り出すことができます。

敏捷性の高い設計と簡単で迅速なメンテナンスにより、システムのダウンタイムを最小限に抑えられ、所有にかかる費用を抑えることができます。

【特長】
■MEMS機器の生産や3Dオブジェクトの成膜に好適
■特許取得済みのホットウォール設計と完全に分離したプリカーサ注入口を組み合わせることにより、高品質のALD膜を作り出すことが可能
■敏捷性の高い設計と簡単で迅速なメンテナンスにより、システムのダウンタイムを最小限に抑える
■超高アスペクト比の基板上にも非常に付き回り良く成膜が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報ALD装置(原子層堆積装置)『P-300B』

【製品情報】
■標準的な基板サイズと種類
 ・200mmウェハで25個のバッチ(標準ピッチ)
 ・150mmウェハで50個のバッチ(標準ピッチ)
 ・100mmウェハで75個のバッチ(標準ピッチ)
 ・ウェハなし基板(特注ホルダー)
 ・高アスペクト比サンプル(2500:1~)
■処理温度:50~500℃
■標準処理
 ・最小1桁秒までのサイクルタイムでバッチ処理が可能
 ・AI2O3、SiO2、Ta2O5、HFO2、ZnO、TiO2、ZrO2、AIN、TiN およびメタル
 ・<1% 1σバッチ内不均一性 (Al2O3、WIW、WTW、B2B、49点、5mm EE)
■基板の装着
 ・空気圧式リフトによるマニュアルローディング
 ・半自動のリニアローディング
 ・産業用ロボットによるローディング
■プリカーサー
 ・液体、固体、気体、オゾン
 ・レベル センサーオプション
 ・4か所に分かれた注入口から最大8種類までのソース
 
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 【用途】
■プリントヘッド、センサー、マイクなどのMEMS機器の生産
■レンズ、光学部品、機械部品、ジュエリー、コイン、医療用インプラントといった3Dオブジェクトの成膜

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

取扱企業ALD装置(原子層堆積装置)『P-300B』

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PICOSUN JAPAN株式会社

■ALD成膜装置の製造・販売及びアフターサービス ALD(Atomic Layer Diposition、原子層堆積)とは、真空を利用した成膜技術の一つです。ALDは既存のPVD/CVD成膜技術より、下記の点において優位性がある為、急速に市場に浸透してきています。 ・優れた段差被覆性(付きまわり性) ・膜厚が1原子層レベル(約1Å=0.1nm)で制御でき、膜厚分布が良い ・バリア性が高く膜質が良い ・比較的低温で処理可能 ALDの応用分野は、半導体・電子部品・燃料電池・リチウム電池・有機EL・太陽電池・ディスプレイ・LED・メディカル等です。 ALDが爆発的に普及するきっかけとなったのは、半導体メモリのゲート酸化膜形成ですが、その特性から、微細粉末/ナノパーティクルコーティング、MEMS等超小型部品の保護膜・絶縁膜としても使われています。 ワーク表面と共有結合するため密着性も良好で、他の皮膜との間の接着層としても機能します。 ドライプロセスのため、有機溶剤への作業者の暴露低減目的で既存のウェットプロセス代替としても検討されており、ナノレベル表面処理として幅広い分野で注目されています。

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