半導体検査装置や測定器の設計制作を得意とする当社におまかせ
当社では、安全動作領域(ASO)での高電圧・高電流を試料に印加して
破壊されるか否かをチェックするL負荷試験装置を取り扱っております。
試料(DUT)の負荷としてドレインにL(インダクタンス)を接続しておき、
入力ゲート電圧を制御してDUTをスイッチング。
DUTのスイッチングによってL負荷の両端に逆起電圧が発生し、
この時の電圧と電流によってDUTの耐量試験を行います。
【既製品ラインアップ】
■FET-901
■FET-902
■FET-9205
■EF-5002
※詳細については、お気軽にお問い合わせください。
基本情報L負荷試験装置
【測定仕様】
■設定電圧範囲
・VDS電源：0.0V～50.0V
・VG1電源：0.0V～+30.0V
・VG2電源：0.0V～-30.0V
■設定分解能
・VDS電源：1.0V
・VG1電源：0.1V
・VG2電源：0.1V
■出力電流
・VDS電源：40A以上
・VG1電源：+100mA以上
・VG2電源：-100mA以上
■設定精度
・VDS電源：±(1%+0.5A)以内
・VG1電源：±(1%+0.1A)以内
・VG2電源：±(1%+0.1A)以内
■電源制限
・設定電流：0A～40A
・分解能：1A
・検出時間：99uSmax 1uSステップ
■クランプ電源
・出力電圧：999Vmax 1.0Vステップ
・設定精度：±(1%F・S+10V)
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| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ※詳細については、お気軽にお問い合わせください。 |
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