株式会社パウデック ウエハ 開発サービス

ELO(epitaxial lateral overgrowth)にも対応!

当社では、GaN、Sapphire、SiC基板上へのMOCVDによるエピ成長に
対応できるウエハを開発しております。

高周波デバイスをはじめ、パワーデバイス、照明など
様々な用途にご利用頂けます。
ご要望の際はお気軽にご連絡ください。

【特長】
■低欠陥密度
■表面平坦性
■4inch以上の大面積化が可能

※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

基本情報ウエハ 開発サービス

【その他取扱製品】
■デバイス

※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

カタログウエハ 開発サービス

取扱企業ウエハ 開発サービス

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株式会社パウデック

■窒化ガリウム系半導体エピ基板の開発および生産  GaN結晶成長  ・ AlGaN/GaN GaN-HEMT基板  ・ GaN/サファイア GaN-テンプレート基板  ・ AlGaN/サファイア 紫外線センサ基板 ■窒化ガリウム系パワーデバイス開発受託  ・ パワートランジスタ、パワーダイオード

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