ELO(epitaxial lateral overgrowth)にも対応!
当社では、GaN、Sapphire、SiC基板上へのMOCVDによるエピ成長に
対応できるウエハを開発しております。
高周波デバイスをはじめ、パワーデバイス、照明など
様々な用途にご利用頂けます。
ご要望の際はお気軽にご連絡ください。
【特長】
■低欠陥密度
■表面平坦性
■4inch以上の大面積化が可能
※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
基本情報ウエハ 開発サービス
【その他取扱製品】
■デバイス
※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。 |
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