SiC Hブリッジ回路ブロック　HGCB-4A-401200 ヘッドスプリング

SiCパワーデバイス搭載で200kHzの駆動が可能！多彩な回路方式に使えるHブリッジ回路ブロック

本製品はローム社製トレンチ型SiC「SCT3030AL」を搭載した、実験用のHブリッジ（単相インバータ）回路です。HGCB-4×4-401200は4式のHブリッジ回路が1つの筐体に搭載されており、机上実験に適したコンパクト設計です。系統連系インバータ、Dual Active Bridge、Modular Multi-level Converter(MMC)など様々なアプリケーションの実験システムを構築できます。

関連リンク - http://headspring.co.jp/products/h_bridge/

基本情報SiC Hブリッジ回路ブロック　HGCB-4A-401200

● 機能試作・基礎実験などパワーエレクトロニクスのR&D分野での使用に適した機能を持つ実験用ハードウェアです。実験環境の構築を迅速に行うことが可能です。
● HGCB-4A-401200はSiCパワーデバイス４個、ゲートドライブ回路が搭載されており、基板、ヒートシンク、電圧センサで構成されます。
● HGCB-4x4A-401200は、HGCB-4A-401200　４枚、ファン、筐体で構成されます。
● 各SiCパワーデバイスを駆動するゲート信号および電源を外部から入力します。本製品を使用するためには、別途、電解コンデンサ、24Vおよび5V電源、基板間配線、コントローラなどを準備していただく必要があります。
● 制御部と主回路部を絶縁した設計となっています。
● アーム短絡、ゲートドライブ部電圧低下、基板表面温度に対しての保護機能を有しており、ゲートパルスパターンが誤っていた場合にも破壊に至りにくい設計となっています。
● 回路図などの設計資料が付属しており、お客様が用途に合わせて改造可能です。

価格帯	10万円 ~ 50万円
納期	~ 1週間 ※在庫状況、数量により納期が変動しますので、お気軽にお問合せください。
型番・ブランド名	HGCB-4A-401200／HGCB-4x4A-401200
用途／実績例	■用途：機能試作や先行開発など実験設備として ■回路構成例：　・単相インバータ　・昇圧・降圧チョッパ　・MMC（Modular Multi-level Converter）　・DAB（Dual Active Bridge）　・非接触給電　・インターリーヴ型PFC