BBOポッケルスセル MSHシステムズ | イプロスものづくり

広波長範囲対応のポッケルスセル

BBO結晶ベースのポッケルスセルで、UVから２μｍ以上の広い波長範囲で利用可能です。

BBO結晶の低い電気光学係数は高い動作電圧をもたらします。λ/4印加電圧は電極間隔と結晶長の比に比例するので、結果として、より小さな開口部のデバイスはより低いλ/4印加電圧を有しますが、2.5 mm開口部デバイスでもλ/4印加電圧は1064 nm時で4 kVと同じくらい高くなります。

必要な電圧を低減し、高速スイッチング時間で1/2波長モードでの動作を可能にするために二重結晶設計が採用されています。

【特長】
・最小圧電リンギング
・低吸収
・セラミック開口が利用可能
・200 nmから2000 nmまでの広い透過範囲
・コンパクトサイズ

関連リンク - https://www.msh-systems.com/products/em-pockels-ce…

基本情報BBOポッケルスセル

ポッケルスセルは、BBO結晶のような電気光学結晶の電極に電圧が印加されたときに、それを通過する光の偏光状態を変えるために使用されます。偏光子と組み合わせて使用すると、ポッケルスセルは高速光スイッチとして使用できます。

代表的な用途に、レーザ共振器のQスイッチング、レーザー共振器のダンピング、および再生増幅器からまたは再生増幅器への光の結合があります。

低圧電リンギングは、これらのポッケルスセルによる高出力および高繰り返しパルスレーザーの制御を魅力的にさせます。ポッケルスセルに適切に適合する高速スイッチング電子ドライバは、Qスイッチング、キャビティダンピングおよび他の用途にも利用可能です。

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用途／実績例	・高繰り返しDPSS Qスイッチ・高繰り返し再生増幅器制御・キャビティダンピング・ビームチョッパー

ラインナップ

型番	概要
1040-1070nmレンジ、高出力・高繰り返しレーザー用
PCB3S-C-1064	結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数　1
PCB4S-C-1064	結晶サイズ 4 x 4 x 20 mm、結晶数　1
PCB3S/25-C-1064	結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数　1
PCB8D-C-1064	結晶サイズ 8 x 8 x 20 mm、結晶数　2
1020-1040nmレンジ、Yb host fsレーザー用
PCB3S-C-1030	結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数　1
PCB4S-C-1030	結晶サイズ 4 x 4 x 20 mm、結晶数　1
PCB3S/25-C-1030	結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数　1
PCB8D-C-1030	結晶サイズ 8 x 8 x 20 mm、結晶数　2
770-820nmレンジ、Ti:Sapphire fs1レーザー用
PCB3D-C-800	結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数　2
PCB3S-C-800	結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数　1
PCB4D-C-800	結晶サイズ 4 x 4 x 20 mm、結晶数　2
PCB4S-C-800	結晶サイズ 4 x 4 x 20 mm、結晶数　1
PCB3D/25-C-800	結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数　2
PCB3S/25-C-800	結晶サイズ 3 x 3 x 20 mm、結晶数　1