ユニテンプジャパン株式会社 真空・プロセスガス高速アニール装置『RTP/VPOシリーズ』
- 最終更新日:2023-05-30 14:01:30.0
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最大到達温度1,000℃!試作開発用途のほか、インラインシステムにも組み込み可能な高速アニール加熱装置です
『RTP/VPOシリーズ』は、卓上型タイプの
真空・プロセスガス高速アニール装置です。
SiCの熱酸化プロセス及びGaNの結晶成長など高い純度や安定性を
要求される研究開発に適している「RTP-150」をはじめ「RTP-100」や
「VPO-1000-300」をラインアップしています。
【RTP-150 特長】
■φ6インチ対応
■最大到達温度1000℃
■リニアな温度コントロールを実現
■コンタミネーションの発生を大幅に低減
■オプションで様々な実験環境に対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報真空・プロセスガス高速アニール装置『RTP/VPOシリーズ』
【その他の特長】
最大到達温度1000℃
装置筐体部の冷却機構を標準装備。安全に配慮しながら最大到達温度1000℃を実現します。そのためSiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングプロセスだけでなく、ペースト材料などの焼結プロセスにも余裕で対応します。
高速昇温/降温に対応
高速赤外(IR)ヒーターを装備し、最大毎分4500℃以上(毎秒75℃以上)の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。
多彩なガスパージ環境に対応
最大4系統のMFC(マスフローコントローラ)を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | 【ラインアップ】 ■RTP-100 ■RTP-150 ■VPO-1000-300 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログ真空・プロセスガス高速アニール装置『RTP/VPOシリーズ』
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