神港精機株式会社 バッチタイプSWPアッシング装置

バッチタイプSWPアッシング装置 http://www.ipros.jp/public/product/image/864/2000461440/IPROS98254815863062644541.jpeg φ300mmの処理ステージを装備。小型基板の一括処理に対応。 レジスト・ポリイミド等有機膜・有機物の除去にO2によるハイレートアッシング。 基板上の有機物除去以外に基板の酸化にも対応可能。 オプションにてH2ガスの使用により、半田の表面酸化膜の除去も可能。 ウェハ・基板のバンプ・パッドのの表面酸化膜除去・還元クリーニングに効果 オプションにて大型ステージ(400×500mm)対応可能 神港精機株式会社 製造・加工機械 > 半導体製造装置 > アッシング装置 御問合せ下さい。
ダメージレス、ハイレート、大面積対応、イオンダメージを完全除去、完全ラジカル処理を実現。高性能プラズマアッシング装置

表面波プラズマ(surface Wave excited plasma)による高密度プラズマをイオン遮蔽トラップにてイオンを完全にシールド。基板にラジカルのみを供給。
高密度ラジカルによるウェット同等のダメージレスアッシングを実現。
ハイレートとダメージレスアッシングを両立。コンパクトなバッチタイプで小型基板・化合物半導体・MEMSデバイスに対応
MEMS製造プロセスの有機膜犠牲層除去に優れた効果を発揮。
ハイエンドMEMSデバイスに必須のレジストアッシング装置

基本情報バッチタイプSWPアッシング装置

φ300mmの処理ステージを装備。小型基板の一括処理に対応。
レジスト・ポリイミド等有機膜・有機物の除去にO2によるハイレートアッシング。
基板上の有機物除去以外に基板の酸化にも対応可能。
オプションにてH2ガスの使用により、半田の表面酸化膜の除去も可能。
ウェハ・基板のバンプ・パッドのの表面酸化膜除去・還元クリーニングに効果
オプションにて大型ステージ(400×500mm)対応可能

価格 御問合せ下さい。
価格帯 お問い合わせください
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用途/実績例 化合物半導体
レジストアッシング・ディスカム・成膜前クリーニング
MEMSセンサー
有機膜犠牲層除去・ポリイミド除去
光モジュール
埋めこみレジスト除去

カタログバッチタイプSWPアッシング装置

取扱企業バッチタイプSWPアッシング装置

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神港精機株式会社

真空ポンプ・薄膜形成装置・・投影機・プラズマ装置・精密電気炉の製造、販売を行っております。

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