旭テック株式会社 高信頼性 GaN パワーデバイス

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバイスをご提供致します

トランスフォーム社はGaNの重要な特許はすべて保有。
GaN HEMTの開発及び、量産からアプリケーションまで自社で技術を保有。
ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済み。
高品質、高信頼性を確保した製品
日本国内での不具合解析、技術対応可能

基本情報高信頼性 GaN パワーデバイス

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。
製品耐圧:650V、900V
オン抵抗:41mΩ(max) ~ 290mΩ(max)
パッケージ:TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
型番・ブランド名 Transphorm GaN HEMT
用途/実績例 - ブリッジレス・トーテムポールPFC回路
- 位相シフトフルブリッジ
- 高スイッチング周波数LCC
- Power Supply
- Servo Motors
- その他

カタログ高信頼性 GaN パワーデバイス

取扱企業高信頼性 GaN パワーデバイス

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旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

■電子部品販売  ・パワー半導体  ・センサー  ・モータ ■ソフト開発及び電子機器の設計・製造・販売

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