旭テック株式会社 次世代素材で未来のエネルギーに革命を!『GaN パワーデバイス』

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバイスをご提供!高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適!

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。
ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。
日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。

【特長】
■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適
■製品耐圧:650V、900V
■オン抵抗:41mΩ(max) ~ 290mΩ(max)
■パッケージ:TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88  など

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基本情報次世代素材で未来のエネルギーに革命を!『GaN パワーデバイス』

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型番・ブランド名 Transphorm GaN HEMT
用途/実績例 - ブリッジレス・トーテムポールPFC回路
- 位相シフトフルブリッジ
- 高スイッチング周波数LCC
- Power Supply
- Servo Motors
- その他

カタログ次世代素材で未来のエネルギーに革命を!『GaN パワーデバイス』

取扱企業次世代素材で未来のエネルギーに革命を!『GaN パワーデバイス』

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旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

■電子部品販売  ・パワー半導体  ・センサー  ・モータ ■ソフト開発及び電子機器の設計・製造・販売

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