株式会社イオンテクノセンター Implantation Simulation

Simulation for ion species, depth and concentration.

Customer's request "How much energy and dose should be used to achieve the desired depth and concentration?" And "What depth distribution of dopant ions will be given at the specified energy and dose." , We can provide a simulation. (This service presupposes a request for ion implantation.)

基本情報Implantation Simulation

Ion implantation simulation
・ Single profile
Calculation implantation conditions from depth and concentration
・ Box profile
Calculation of multi-step implantation conditions

Other simulations
・ Diffusion after heat treatment
Profile calculation before and after heat treatment
・ Multi-layer structure calculation
Optimization of film thickness such as SiO2

However, the simulation does not guarantee the profile or concentration after implantation.

価格 ******
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価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
※※ お気軽にお問い合わせください
用途/実績例 We support many universities, institutes and corporates for implantation projects.

取扱企業Implantation Simulation

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株式会社イオンテクノセンター

1.受託物理分析 2.イオン注入加工

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