装置サイズを可能な限りコンパクト化！安定した成膜処理と低パーティクルを実現
『A200V』は、少量多品種から大量生産までカバーするφ150・φ200mm
ウェーハ対応の枚葉式常圧CVD装置です。
フェイスダウン式成膜方法の採用により優れた膜厚均一性、パーティクル
制御、埋め込み性能を発揮し、SiH4をベースとしたシリコン酸化膜を成膜。
また、TEOS-O3、SiH4-O3もオプション対応が可能な装置です。
【特長】
■フェイスダウンポジション
■コンパクトな装置デザイン・構成
■メンテナンス性と高い生産性の両立
■優れた膜厚均一性と埋め込み性
■オペレーターが加熱部分に直接接触しないよう安全性を確保
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報枚葉式常圧CVD装置『A200V』
【仕様(一部)】
■サイズ：890mm(W)×2300mm(D)×2250mm(H)
■膜厚均一性：≦±2％(面内、面間)
■温度：300℃～450℃(オゾンプロセスでは150℃～350℃)
■対応ウェーハサイズ：8インチまで可能
■スループット(参考値)：14枚/hour(500nm成膜時)
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| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 用途／実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログ枚葉式常圧CVD装置『A200V』
取扱企業枚葉式常圧CVD装置『A200V』
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