明電ナノプロセス・イノベーション株式会社 ALD/OER成膜装置
- 最終更新日:2020-04-16 15:58:02.0
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常温でOHラジカルを発生させる手法(OER)で常温成膜を実現!
『ALD/OER成膜装置』は、先端技術で必要とされる原子レベルの
緻密な成膜(ALD)を独自の技術で実現した装置です。
半導体やディスプレイの封止、2次電池の部品や自動車部品など
幅広い分野への応用が期待できます。
※OER=株式会社明電舎独自技術:
Ozone-Ethylene Radical generation technologyの略
【特長】
■シャワーヘッド型で「均一性」、「高速成膜」、
「原料ガス・電力の省エネ」を実現
■単層膜でハイバリアを実現
(膜厚40nmで水蒸気透過率10-5達成)
※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報ALD/OER成膜装置
【装置仕様】
■膜種:Al2O3膜
■基板サイズ:8インチ
■成膜温度:常温~150℃
■成膜速度:約1.3nm/min
■寸法:H1500×W1400×D1100mm
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価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。 |
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