化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / MOCVDエピタキシャル成長を提供します。
2インチから6インチまでのGaAs基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。
エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にGaAsエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています
基本情報GaAs Based Epi Wafer
◆赤外線LD
波長範囲(808nm, 980nm and others in 800~1064nm)
◆垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)
波長範囲(650nm, 850nm,)
◆RCLED(Resonant Cavity LED)
波長範囲(850~1100nm)
◆フォトディテクター(PD)
波長範囲(<870nm (GaAs吸収層)
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ◆赤外線LD ◆垂直共振器面発光レーザ(VCSEL) ◆RCLED(Resonant Cavity LED) ◆フォトディテクター(PD) |
取扱企業GaAs Based Epi Wafer
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