株式会社GLORY GaAs Based Epi Wafer

化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / MOCVDエピタキシャル成長を提供します。

2インチから6インチまでのGaAs基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。

エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にGaAsエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています

基本情報GaAs Based Epi Wafer

◆赤外線LD
波長範囲(808nm, 980nm and others in 800~1064nm)
◆垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)
波長範囲(650nm, 850nm,)
◆RCLED(Resonant Cavity LED)
波長範囲(850~1100nm)
◆フォトディテクター(PD)
波長範囲(<870nm (GaAs吸収層)

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
用途/実績例 ◆赤外線LD
◆垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)
◆RCLED(Resonant Cavity LED)
◆フォトディテクター(PD)

取扱企業GaAs Based Epi Wafer

Logo.jpg

株式会社GLORY 東京営業所

半導体パッケージ(Semiconductor PKG) InPエピタキシャル(Epitaxial growth) GaAsエピタキシャル(Epitaxial growth) 研磨材(ダイヤモンドパウター) 基板・インゴットの販売

GaAs Based Epi Waferへのお問い合わせ

お問い合わせ内容をご記入ください。

至急度必須
ご要望必須

  • あと文字入力できます。

目的必須
添付資料
お問い合わせ内容

あと文字入力できます。

【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。

はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら

イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

株式会社GLORY 東京営業所

GaAs Based Epi Wafer が登録されているカテゴリ