トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバイスをご提供致します
トランスフォーム社はGaNの重要な特許はすべて保有。
GaN HEMTの開発及び、量産からアプリケーションまで自社で技術を保有。
ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済み。
高品質、高信頼性を確保した製品
日本国内での不具合解析、技術対応可能
基本情報GaNデバイス ハイエンドPC用ATX電源に
トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。
製品耐圧：650V、900V
オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ)
パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88
| 価格帯 | お問い合わせください |
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| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | Transphorm GaN HEMT |
| 用途／実績例 | - ブリッジレス・トーテムポールPFC回路 - 位相シフトフルブリッジ - 高スイッチング周波数LCC - Power Supply - Servo Motors - その他 |
カタログGaNデバイス ハイエンドPC用ATX電源に
取扱企業GaNデバイス ハイエンドPC用ATX電源に
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■電子部品販売 ・パワー半導体 ・センサー ・モータ ■ソフト開発及び電子機器の設計・製造・販売
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