富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社強誘電体不揮発性メモリ『FeRAM』

最終更新日：2022-08-30 15:03:21.0
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豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ

『FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）』は、高速動作の特長を
もつ強誘電体不揮発性メモリです。

データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ
メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、
低消費電力の点で優位性があります。

【特長】
■不揮発性：バッテリバックアップ不要
■高速書込み：消去（イレーズ）動作不要
■高書換え耐性：10兆回保証（一部除く）

※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

基本情報強誘電体不揮発性メモリ『FeRAM』

【採用実例】
■車載
■産業機械
■民生機器
■ICカード
■医療機器（X線装置、CTスキャンなど）

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