無電解Agめっきオジックテクノロジーズ

次世代SiCパワーデバイスに対応可能！優れたパフォーマンスを実現します。

『無電解Agめっき』は、次世代SiCパワーデバイスに対応した
オジックテクノロジーズの技術です。

従来の技術では、高温環境下での動作の不安定さや、デバイスの
高性能化に対応できない問題点があり、SiCパワーデバイスなどに
対応するため、より高度な処理が必要とされていました。

当社の『無電解Agめっき』は、Agナノ粒子での高融点金属接合により、
高温環境での動作が可能となるなど、従来技術の課題を解決できます。

【特長】
■DIG (Direct Immersion Gold)などのAu代替めっきとして
　優れたパフォーマンスを実現
■下地(Cuなど)の影響を受けず、酸化せず、長期間品質を維持
■均一な薄膜を形成(0.1~0.5μmt)することで、微細配線パターンや
　部分めっきにも対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連リンク - http://www.ogic.ne.jp/index.html

基本情報無電解Agめっき

【従来技術の問題を解決】
■高温環境下での動作が不安定
■はんだ接合温度の低温化が困難
■二次実装時に耐熱性が必要
■デバイスの高性能化に対応できない

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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