ME-IGBT搭載IGBTモジュール Home Shine ENT. CO., LTD

1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきたIGBT搭載IGBTモジュール

製品：MITSUBISHI ELECTRIC-第7世代IGBT搭載IGBTモジュール Tシリーズについては、
あらゆる産業機器のインバータ化に必須なデバイスであるIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきした。
またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT（キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT）により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきた。
第5世代IGBTから従来外形のスタンダード（std）タイプに、薄型外形のNXタイプを追加し、インバーター、三相コンバーターとブレーキの各回路を1パッケージに内蔵した製品をラインアップしている。また、Sシリーズ（第6世代IGBT）を、より低電力損失で小型化したT/T1シリーズ（第7世代IGBT）を新たにラインアップした。

基本情報ME-IGBT搭載IGBTモジュール

製品：MITSUBISHI ELECTRIC-第7世代IGBT搭載IGBTモジュール Tシリーズ
の基本情報は以下のようになる：
特徴：
・標準パッケージで、マルチソースに対応する　
・低インダクタンスPKG採用により使いやすさ向上　
・低スイッチング損失で1～5kHzの用途に最適である　
・絶縁耐圧 4kV

価格情報	数量により価額は変動する
納期	お問い合わせください ※数量によって納期が変動するので、お気軽にお問い合わせ下さい。
用途／実績例	製品：MITSUBISHI ELECTRIC-第7世代IGBT搭載IGBTモジュール Tシリーズの用途は、インバーター装置、サーボアンブ、電源装置に使用される。

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詳細情報ME-IGBT搭載IGBTモジュール

: 製品：MITSUBISHI ELECTRIC-第7世代IGBT搭載IGBTモジュール Tシリーズ
1. 概要：
あらゆる産業機器のインバータ化に必須なデバイスであるIGBTモジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきした。
またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBTにより、産業機器の低損失化や小型化に対応してきた。
第5世代IGBTから従来外形のスタンダードタイプに、薄型外形のNXタイプを追加し、インバーター、三相コンバーターとブレーキの各回路を1パッケージに内蔵した製品をラインアップしている。また、Sシリーズを、より低電力損失で小型化したT/T1シリーズを新たにラインアップした。
2. 特徴：
・標準パッケージで、マルチソースに対応する　・低インダクタンスPKG採用により使いやすさ向上　・低スイッチング損失で1～5kHzの用途に最適である　・絶縁耐圧 4kV
3. 用途：
インバーター装置、サーボアンブ、電源装置

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取扱企業ME-IGBT搭載IGBTモジュール

Home Shine ENT. CO., LTD

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