2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」富士通セミコンダクターメモリソリューション

ADASなどの先端車載市場向けに好適な不揮発性メモリ

MB85RS2MLYは、-40℃～+125℃の温度範囲において10兆回のデータ書換えを保証しています。この特性は、リアルタイムなデータ記録を必要とする用途に適しています。例えば、毎日0.1秒毎に10年間データを記録（30億回以上）することも可能です。加えて、本製品の信頼性試験は車載グレードと呼ばれる高品質規格であるAEC-Q100グレード1に準拠しています。したがって、データ書込み回数と信頼性の両方の観点から、本製品はADASのような車の状態を常に検知し記録し続ける用途向けとして好適です。

■主な仕様
・製品名：MB85RS2MLY
・容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット）
・インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース）
・動作周波数：50MHz（最大）
・動作電源電圧：1.7V～1.95V
・動作温度範囲：-40℃～＋125℃
・書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回）
・パッケージ：8ピンSOP、 8ピンDFN
・品質規格：AEC-Q100グレード1準拠

基本情報2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」

当社は、125℃動作のFeRAMファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」を追加しました。本製品は、1.7V～1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、評価サンプルと量産品の提供をしています。この新製品は、先進運転支援システム（ADAS）などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに好適です。

価格帯	お問い合わせください
納期	お問い合わせください
用途／実績例	先進運転支援システム（ADAS）などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに好適