4MビットFeRAM『MB85RS4MTY』※資料4点進呈中富士通セミコンダクターメモリソリューション

最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、産業機械向けに好適な不揮発性メモリ

「FeRAM」は、強誘電体の素子を使用した不揮発性メモリです。
高書き換え耐性・高速書き込み・低消費電力といったメリットをもちます。

特に『MB85RS4MTY』は、2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」の
さらなる大容量化ニーズに応えるべく開発された4MビットFeRAM。

125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数ができ、
先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや
産業用ロボット向けに好適です。

【特長】
■1.8～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作
■SPIインターフェースを採用
■高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、
　パワーダウン電流が最大30μAと低消費電力

※「FeRAM」の詳しい特長や採用事例を紹介した資料を進呈中。
　“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

基本情報4MビットFeRAM『MB85RS4MTY』※資料4点進呈中

【FeRAMについて】
電源がオフになってもデータが消えない不揮発性メモリでありながら、
高書き換え耐性・高速書き込みといった揮発性メモリの長所も備えています。

強誘電体にデータを記憶するという構造により、最大10兆回のデータ書き換え回数を実現。
また、書き込み時間が短いため消費電力が少なく、データ保持用の電流は不要です。
EEPROM、SRAMからの置き換えにより、様々な課題解決が期待できます。

※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

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用途／実績例	先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや産業用ロボット向けに好適