富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 4MビットFeRAM「MB85RS4MT」

最終更新日：2022-08-30 15:10:27.0
印刷用ページ

ドライブレコーダの位置情報などリアルタイムでのデータ書換えに好適なメモリ4MビットFeRAM「MB85RS4MT」

本製品は、エッジコンピューティングの拡大、センサー情報のデータ量の増大という環境の変化により、既存のEEPROMを使用しているお客様からの「書換え回数を増やしたい」、「書換え時間を短くしたい」、「メモリ容量を増やしたい」という要求に応えて開発されたメモリです。
本製品は、ドライブレコーダ/運行レコーダ、ロボット、工作機械、計測装置、メーター、民生機器などリアルタイムでの頻繁なデータログが必要とされる様々なアプリケーションに好適です。

■主な仕様
・製品名： MB85RS4MT
・容量（メモリ構成）： 4Mビット（512K x 8ビット）
・インターフェース： SPI （シリアル・ペリフェラル・インターフェース）
・動作周波数：最大40MHz
・動作電源電圧： 1.8V～3.6V
・動作温度範囲： -40℃～＋85℃
・書込み/読出し保証回数： 10兆回
・パッケージ： 8ピンSOP

基本情報4MビットFeRAM「MB85RS4MT」

本製品の動作電圧は1.8Vから3.6Vまでのワイドレンジのため、お客様製品に内蔵されているメモリ周辺の電子部品が1.8V、または3.6V動作品のどちらでも対応することができます。動作電流は、1MHz動作時が最大250μＡ、スタンバイ電流は最大50μＡと非常に少なく、低消費電力化を実現しています。
パッケージは、既存のEEPROMと置き換え可能な8ピンSOPのため、お客様製品の設計を大幅に変更することなく本新製品に切り替えることができます。

価格帯	お問い合わせください
納期	お問い合わせください
型番・ブランド名	MB85RS4MT
用途／実績例	本FeRAMは、ドライブレコーダ/運行レコーダ、ロボット、工作機械、計測装置、メーター、民生機器などリアルタイムでの頻繁なデータログが必要とされる様々なアプリケーションに好適です。

詳細情報4MビットFeRAM「MB85RS4MT」

: 本製品の書換え保証回数は、同じ不揮発性メモリのEEPROMと比較すると約1,000万倍の10兆回のため、書換え回数が設計のボトルネックになることはありません。　今般のエッジコンピューティングにおけるセンサー情報を、頻繁に記録するためのメモリとして好適です。

: データ書込み動作では、EEPROMやフラッシュメモリは書込み時間に加えてセクターの消去時間が必要になりますが、FeRAMは消去をせずに上書きのみとなるため、高速書込みを実現しています。これにより、データ書込み中に瞬断などの電圧低下が発生した場合でも、FeRAMは書込み中のデータを保護できます。