ガスを化学反応させることで緻密な薄膜を形成！低温加工も可能です。
プラズマＣＶＤ法は、膜としたい元素を含むガスを、プラズマにより励起や分解をさせて、
基板表面で吸着、反応等を経て膜を形成する方法です。
プラズマを用いるため熱ＣＶＤに比べて低温での製膜が可能です。
また、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法と比べて凹凸への付きまわりがよいのも特徴です。
弊社では、イオンプレーティング法、真空蒸着法に加え、
プラズマＣＶＤ法によるコーティングサービスも行っております。
現在、プラズマCVD法での対応膜種は、DLC（Diamond-Like Carbon）、SiO2、SiN、SiCの４膜種とさせていただいております。
基本情報プラズマＣＶＤ成膜
■対応膜種：DLC、SiO2、SiN、SiC
■最大搭載可能サイズ：φ12インチ×t20mm
■対応可能基板
・Si Wafer
・ガラス
・フィルム
・セラミックス
・金属材
他
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