独自技術のスパッタリング成膜でハイレベルなDLC成膜を実現！京浜ラムテック

DLC成膜(膜質:ta-C領域, 表面粗度Ra0.16nm, 透過率：88％)を従来では課題の多かったスパッタで実現

RAM CATHODE（4面対向式カソード）により、イオン化率を劇的に向上させ
HIPIMS電源を使用せず、DCパルス電源でDLC（ta-C）の形成が可能

【従来のスパッタリング法】
カーボンのイオン化率が低い為、ta-C領域を得るには、HIPIMS電源を使用し、
強制的にイオン化率を上げなければなりませんでした。

【当社が開発したRAMカソード】
４面に対向するターゲットを配することでターゲット間の磁界により
プラズマの拘束を高めることが可能となり、高密度プラズマが形成されます。
拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、C fluxは、
互いに衝突を繰り返すことでArイオン及びCfluxのイオン化が促進され、
DLC膜においてC-C結合を容易に形成することができます。

その結果、HIPIMS電源を使用することなく、高硬度で平滑度の高いDLC形成を実現化しました。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報独自技術のスパッタリング成膜でハイレベルなDLC成膜を実現！

【特徴】
・DLC形成：イオン化率が従来のスパッタリング手法による形成時より高い

●4面対向ターゲットで拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、C fluxが
互いに衝突を繰り返すことでArイオン化及びCfluxのイオン化が促進される。
C＋はイオン衝突により高エネルギーでイオン化が促進するためDLC膜において
C-C結合が容易に形成することが可能。

●「透過率」「硬度」「表面の粗さ」が向上。

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用途／実績例	【用途例】スマートフォンのカバーガラス食品フィルム医療布・ポリマーシリンジ・薬液容器人工関節赤外カメラ・赤外センサー Etc.