ヨーロッパ 発の技術！Leuven instruments装置の日本国内代理店 実験～量産に対応できる堆積式の成膜機種
・Shale Cシリーズ：ICP CVD（誘導結合プラズマCVD）
低温条件（<120℃）で緻密な成膜を実現可能
プラズマによる損傷を低減でき、漏れ電流を抑える
高アスペクト比の穴埋めに適用
・Shaleシリーズ：PE CVD（プラズマCVD）
2周波数のプラズマ源を搭載、SiNx製膜の応力を幅広く制御可能
・Ganistarシリーズ：IBD（イオンビーム堆積）
低温低圧条件で緻密で高品質な成膜が可能
ダブルイオン源構造となり、高精度な制御が可能
Real-timeでスペクトル分析機能を備える
同一チャンバーでIBD、IBEを両立
基本情報CVD、IBDの成膜装置
低価格、短納期で様々なニーズに応える
| 価格帯 | 1000万円 ~ 5000万円 |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | SiO2、SiNx、SiONなど多様な成膜に適用 |
詳細情報CVD、IBDの成膜装置
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Shale Cシリーズ：ICP-CVD装置
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Shaleシリーズ：PECVD装置
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Ganistarシリーズ：IBD装置
カタログCVD、IBDの成膜装置
取扱企業CVD、IBDの成膜装置
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