【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IGBT】
BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、
出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを
組み合わせたIGBTをリリースしました。
TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、
スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。
サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。
基本情報【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失
<特徴>
・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT
・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術
・低飽和電圧降下 (V CE(sat)
・低スイッチング損失
・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ
・RoHS対応
・JEDEC 規格準拠
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
用途/実績例 | ■アプリケーション ・スイッチング電源 ・PFC ・電磁調理器 (IH) ・無停電電源 (UPS) ・ソーラーインバーター (住宅設備) ・炊飯器 etc. |
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